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国家自然科学基金(2004AA311040)

作品数：1 被引量：9H指数：1
相关作者：魏同波马平王军喜曾一平段瑞飞更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇GAN
  • 1篇HVPE
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇李晋闽
  • 1篇段瑞飞
  • 1篇曾一平
  • 1篇王军喜
  • 1篇马平
  • 1篇魏同波

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长被引量：9
2007年
采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重.其(0002)的双晶衍射半高宽最低为141″;蓝宝石衬底上直接生长GaN外延层质量较差,其双晶衍射半高宽为1688″,但不发生开裂.HCl的载气流量对预反应有很大的影响.应力产生于外延层和衬底之间的界面处,界面孔洞的存在可以释放应力,减少开裂.光致发光(PL)谱中氧杂质引起强黄光发射.
马平魏同波段瑞飞王军喜李晋闽曾一平
关键词：HVPEGAN蓝宝石衬底
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