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国家自然科学基金(60877006)

作品数：1 被引量：7H指数：1
相关作者：戴隆贵王小丽李辉徐培强何涛更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射线衍射
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇缓冲层
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇ALN
  • 1篇ALN缓冲层
  • 1篇GAN
  • 1篇MOCVD

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇陈弘
  • 1篇陈耀
  • 1篇何涛
  • 1篇徐培强
  • 1篇李辉
  • 1篇王小丽
  • 1篇戴隆贵

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)被引量：7
2011年
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的a面GaN材料。
何涛陈耀李辉戴隆贵王小丽徐培强王文新陈弘
关键词：GANX射线衍射ALN缓冲层
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