国家自然科学基金(60877007)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 相关作者：曹连振刘霞宋航蒋红李志明更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院潍坊学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 气流控制的碳纳米管的定向生长研究被引量：1
- 2011年
- 通过严格控制气流的方向和催化剂颗粒的密度,加以利用材料自身的重力作用,用热化学气相沉积(T-CVD)的方法在硅衬底上制备了长度可控且与衬底平行的碳纳米管(CNTs)。并研究了催化剂的厚度,生长时间和重力等因素对碳纳米管定向生长的影响。利用扫描电镜对制备的碳纳米管进行了表征。
- 曹连振仲明礼刘霞赵加强黄宝歆李英德逯怀新
- 关键词：碳纳米管
- GaAs微尖上碳纳米管的制备
- 2013年
- 采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征。结果表明:GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列,生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列之间,形态规整,具有较好的石墨微晶结构。在此基础上,提出在微尖上生长纳米管的模型,为实现微纳器件互联提供了一种新方法。
- 李志明宋航蒋红吴萃婷
- 关键词：碳纳米管GAAS
- 热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性被引量：3
- 2009年
- 采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较。当发射电流密度达到10μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10μm碳纳米管线阵列以及2μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3V/μm、2.1V/μm和1.7V/μm;而当电场强度达3.67V/μm时,相应的电流密度分别为2.57mA/cm2、4.65mA/cm2和7.87mA/cm2。实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善。对改善的原因进行了分析和讨论。
- 曹连振蒋红宋航李志明赵海峰吕文辉刘霞郭万国阎大伟孙晓娟缪国庆
- 关键词：碳纳米管线阵列场发射特性
