您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(51102241)

作品数:2 被引量:10H指数:2
相关作者:成会明刘连庆任文才马来鹏董再励更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇铜表面
  • 1篇气相沉积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇CHEMIC...
  • 1篇DEPOSI...
  • 1篇GROWTH
  • 1篇SUBSTR...
  • 1篇COPPER
  • 1篇GRAPHE...

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院金...

作者

  • 1篇董再励
  • 1篇马来鹏
  • 1篇任文才
  • 1篇刘连庆
  • 1篇成会明

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇Scienc...

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Progress of graphene growth on copper by chemical vapor deposition:Growth behavior and controlled synthesis被引量:6
2012年
Recently,chemical vapor deposition (CVD) on copper has been becoming a main method for preparing large-area and highquality monolayer graphene.In this paper,we first briefly introduce the preliminary understanding of the microstructure and growth behavior of graphene on copper,and then focus on the recent progress on the quality improvement,number of layers control and transfer-free growth of graphene.In the end,we attempt to analyze the possible development of CVD growth of graphene in future,including the controlled growth of large-size single-crystal graphene and bilayer graphene with different stacking orders.
MA LaiPengREN WenCaiDONG ZaiLiLIU LianQingCHENG HuiMing
关键词:GRAPHENEGROWTHDEPOSITIONCOPPERSUBSTRATE
铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展:生长行为与控制制备被引量:4
2012年
以铜作为基体的化学气相沉积法(CVD)是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、层数均一等优点,已成为制备大面积、单层石墨烯的主要方法.本文围绕铜表面CVD控制生长石墨烯,结合对石墨烯的结构和生长行为的初步认识,介绍了质量提高、层数控制以及无转移生长等控制制备方面的最新研究进展,并展望了该方法制备石墨烯的可能发展方向,包括大尺寸石墨烯单晶以及不同堆垛方式的双层石墨烯的控制生长等.
马来鹏任文才董再励刘连庆成会明
关键词:石墨烯化学气相沉积
共1页<1>
聚类工具0