河北省教育厅科学技术研究计划(2007416)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 相关作者：刘保亭娄建忠孙杰李曼代鹏超更多>>
- 相关机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省教育厅科学技术研究计划博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 外延CeO_2高k栅介质层的结构及介电性能被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积两步生长法在Si(111)衬底上制备了厚度为10～40 nm的外延CeO2薄膜,构建了Pt/CeO2/Si MOS结构,研究了CeO2薄膜的界面及介电性能。实验发现,界面处存在的电荷对MOS结构C-V特性的测量有较大影响,采用两步生长法制备的外延CeO2薄膜在保持较大介电常数的同时有效降低了界面态密度。由等效氧化物厚度-物理厚度曲线得出CeO2薄膜的介电常数为37;根据Hill-Coleman法计算出CeO2薄膜界面态密度为1012量级。
- 娄建忠代鹏超李曼赵冬月刘保亭
- 关键词：介电性能
- 氧气气氛下退火温度对BST薄膜结构及物理性能的影响
- 2011年
- 利用溶胶凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了(～70nm)的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,采用磁控溅射法构建了Pt/BST/Pt/TiO2/SiO2/Si(001)电容器,研究了在氧气气氛中不同退火温度对BST薄膜结构及物理性能的影响.结果发现,650℃退火样品具有良好的结晶质量和介电性能.650℃退火样品在电场强度为200kV/cm时漏电流密度为3.06×10-6 A/cm2.
- 娄建忠李俊颖代鹏超孙杰刘保亭
- 关键词：BST薄膜溶胶凝胶
- (001)高度择优取向Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt异质结的结构及性能被引量：1
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法结合高真空后退火处理,在MgO（001）单晶基片上制备了Pt薄膜。应用脉冲激光沉积法在Pt/MgO上进一步生长了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜。借助X射线衍射仪（XRD）、铁电测试仪、LCR表研究了BST/Pt/MgO的结构和性能。研究发现,700℃真空退火可以保证Pt薄膜在MgO基片上实现（001）高度择优生长,以（001）Pt薄膜为模板,可以进一步获得（001）高度择优取向具有铁电性能BST薄膜。在100 Hz测试频率下,BST薄膜最大介电常数为1100、调谐率为81%、品质因数为21;在7 V的电压下,漏电流密度1.85×10-5A/cm2,进一步分析表明,BST薄膜在0-2.6 V之间满足欧姆导电机制,在2.6-7 V之间满足普尔-弗兰克导电机制。
- 郭哲刘保亭王军李曼张金平娄建忠
- 关键词：BST薄膜脉冲激光沉积导电机制
- 非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜结构及物性影响的研究被引量：4
- 2010年
- 应用非晶Ni-Al薄膜作为扩散阻挡层,采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si（001）衬底上制备了Pt/Ni-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ni-Al/Pt电容器结构,研究了在650~800℃温度范围内快速退火（RTA）工艺对电容器结构和物理性能的影响。结果表明：在外加电场为-100 kV/cm时,700℃和750℃退火样品的介电常数达到最大,分别为150和170。非晶Ni-Al薄膜的应用可以有效地降低BST薄膜的漏电流密度。650℃退火样品在整个测试电场范围内满足欧姆导电机制;700℃、750℃和800℃退火样品分别在电压低于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足欧姆导电机制,在电压高于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足普尔-弗兰克导电机制。
- 孙杰刘保亭陈江恩娄建忠周阳
- 关键词：BST薄膜快速退火导电机制
