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退火气氛对Zn0.87Co0.10Na0.03O薄膜光、电和磁性能的影响被引量：1: 2011年; 采用溶胶–凝胶法,在不同气氛下退火制备了Co和Na共掺杂的ZnO稀磁性半导体Zn0.87Co0.10Na0.03O薄膜,并试图通过共掺Na来实现ZnO基稀磁半导体的p型转变,测试了薄膜样品的结构、发光性能、电性能和磁性能。研究了退火气氛对样品性能的影响。结果表明:样品具有ZnO的纤锌矿结构,且表现出明显的c轴(002)择优取向特征,未检测到与Co和Na有关的衍射峰。在室温,340 nm波长激发下,样品在379～387 nm附近出现了1个窄的紫外发射谱带;在可见光区出现了1个宽的发射谱带(450～600 nm)。共掺Na未能实现样品的p型转变;样品的电子载流子浓度随退火气氛中氧气流量的减小而降低。富氧退火条件下获得的样品具有明显的室温铁磁性,其饱和磁化强度随氧气流量的减小急剧下降;而缺氧退火条件下获得的样品的铁磁性消失,出现反铁磁性。; 徐光亮赵德友张磊彭龙刘桂香; 关键词：氧化锌稀磁半导体

Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能被引量：1: 2010年; 采用反应磁控溅射法在室温下沉积前驱体氮化物,在大气环境、500℃下氧化退火30min后获得了Al-N共掺杂ZnO:Mn薄膜。研究了直流与射频反应磁控溅射对氧化退火薄膜结构和性能的影响。结果表明:两种工艺制备的退火薄膜均具有ZnO纤锌矿结构,且均为n型导电。射频溅射退火样品具有很好的c-轴择优取向,其表面光滑平整,表面粗糙度RMS值为1.2nm,且具有室温铁磁性,饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)分别为46.8A·m–1和4.9×103A·m–1;而直流溅射退火样品表面凹凸不平,RMS值为25.8nm,室温下是反铁磁性的。; 赵德友徐光亮刘桂香彭龙; 关键词：ZNO 稀磁半导体磁控溅射

溶胶-凝胶法制备Co掺杂ZnO薄膜及其室温铁磁性(英文)被引量：2: 2010年; 以聚乙烯醇为溶剂,用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底表面制备了Zn1-xCoxO(x=0.08,0.10,0.12)稀磁半导体薄膜。研究表明:Zn1-xCoxO薄膜均为纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相,Co2+取代Zn2+位置进入ZnO的晶格,样品的光学带隙随Co含量的增加而减小。Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性,其饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)均随Co2+含量(x=0.08,0.10,0.12)的增加而逐渐增大,Ms分别为1.12×104,1.45×104A/m和1.66×104A/m,Hc分别约为2.31×105,3.30×105A/m和4.26×105A/m,并讨论了其铁磁性的来源。; 徐光亮赵德友张磊魏贤华刘桂香彭龙; 关键词：氧化锌稀磁性半导体室温铁磁性溶胶-凝胶法

X射线反射法分析ZnO基薄膜的厚度、密度和表面粗糙度被引量：1: 2010年; 采用X射线反射法(XRR)测试了在SiO_2玻璃衬底上磁控溅射沉积的单层ZnO基薄膜的反射强度,得到了反射强度随掠入射角变化的曲线;讨论了薄膜厚度、密度和表面粗糙度与反射曲线的关系,最后通过拟合XRR曲线获得了所制备薄膜的厚度、密度和表面粗糙度分别为55.8 nm,5.5 g·cm^(-3)和1.7 nm,与利用XRR数据直接计算出的薄膜厚度56.2 nm仅相差0.4 nm,表面粗糙度也与AFM测试的结果基本相符。可见XRR能无损伤、精确且快速地测试薄膜试样的厚度、密度和表面粗糙度等参数。; 徐光亮赵德友刘桂香

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博士科研启动基金(08ZX0102)