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电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(5130804108)

作品数：4 被引量：41H指数：2
相关作者：姚若河罗宏伟路香香魏长河林继平更多>>
相关机构：华南理工大学信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室更多>>
发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇扩散电阻
  • 1篇电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇体硅
  • 1篇晶体硅
  • 1篇静电保护
  • 1篇静电放电
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿特性
  • 1篇光伏
  • 1篇光伏产业
  • 1篇硅太阳能电池
  • 1篇二次击穿
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇NMOS
  • 1篇FET模型
  • 1篇N

机构

  • 4篇华南理工大学
  • 2篇信息产业部电...
  • 2篇电子元器件可...
  • 1篇茂名学院
  • 1篇华南师范大学

作者

  • 3篇罗宏伟
  • 3篇姚若河
  • 2篇路香香
  • 1篇李斌
  • 1篇林志成
  • 1篇石晓峰
  • 1篇黄庆举
  • 1篇林继平
  • 1篇魏长河

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇材料开发与应...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
ESD应力下的NMOSFET模型被引量：8
2007年
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。
路香香姚若河罗宏伟
关键词：静电保护NMOSFET半导体器件
硅太阳能电池的应用研究与进展被引量：32
2009年
介绍了三代太阳能电池的发展历程和最新研究进展,晶体硅太阳能电池在光伏产业中主要朝高效方向发展,认为廉价、高效多晶硅薄膜太阳能电池,是当前太阳能电池研究的热点,也是未来太阳能电池发展的方向。
黄庆举林继平魏长河姚若河
关键词：太阳能电池晶体硅光伏产业
ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性
2008年
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析。通过TLP实验对大电流作用下的电阻特性进行验证研究,试验分析了扩散电阻的ESD保护特性;着重讨论了二次击穿区,即热击穿区,的电阻特性,得出电阻的热击穿最先发生在阳极n+-n结,继续加大电压会使阳极-阴极间完全热烧毁的结论。
路香香罗宏伟姚若河林志成
关键词：扩散电阻二次击穿
ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤被引量：1
2009年
电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在发生初次瞬态击穿(瞬态击穿电压79.0V,瞬态击穿电流1.97A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。
石晓峰罗宏伟李斌
关键词：静电放电
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