教育部科学技术研究重点项目(210157)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：华南师范大学中山大学上海师范大学更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金教育部科学技术研究重点项目广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件
- 2012年
- ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注。但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平。针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述。
- 陈心满伍广亨周洪赵灵智牛巧莉
- 关键词：ZNO本征缺陷
- 基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述被引量：1
- 2012年
- 随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域。就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述。
- 陈心满赵灵智牛巧利
