国家自然科学基金(60490291)
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm,溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力达到5966 Oe,克尔角为0.413°.
- 郭继花黄致新崔增丽杨磊邵剑波
- 关键词：射频磁控溅射磁光性能溅射功率
- SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及其组分影响研究被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了(Sm)TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并就薄膜组分对其磁特性的影响进行了研究.部分Tb原子取代Sm以后,薄膜仍然具有较高的磁各项异性.薄膜组分为(Sm0.286Tb0.714)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为330 emu/cm3,矫顽力为5.0 KOe;薄膜组分为(Sm0.343Tb0.657)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为385 emu/cm3,矫顽力为4.7 KOe.薄膜组分对SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性影响,可以通过对薄膜结构特性的分析得到合理的解释.
- 俞伟钧钱显毅黄致新
- 关键词：非晶薄膜磁特性
- 稀土-过渡金属薄膜磁各向异性的理论研究
- 2011年
- 对稀土-过渡金属薄膜的磁各向异性进行了理论分析研究.通过分析其它模型以及薄膜成膜过程的特点,建立了单离子模型,并进行了理论分析和计算.结果发现:组分为R31Co69薄膜中稀土元素R为Tb时的Ku值最大,接近3.1×106 erg/cm3.对于TbCo非晶垂直磁化膜而言,具有非球对称电荷分布的非S态离子Tb与局部电场的相互作用构成了其垂直磁各向异性的主要部分.
- 何一鸣钱显毅黄致新
- 关键词：磁各向异性
- 溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°。
- 郭继花黄致新崔增丽杨磊邵剑波朱宏生章平
- 关键词：射频磁控溅射磁光性能
- 基于平均场理论的SmTbCo/Cr薄膜温度特性的计算与分析
- 2010年
- 运用平均场理论以及(Sm0.343Tb0.657)31Co69/Cr薄膜的饱和磁化强度Ms随温度变化的实验测量值,模拟计算了组分为(Sm0.156Tb0.844)31Co69薄膜的饱和磁化强度Ms温度特性曲线,计算结果与实验值较为吻合.理论和实验结果都表明.该种SmTbCo/Cr薄膜的居里温度Tc在200℃左右,而且在室温附近,该种薄膜的磁各向异性能Ku值高达4.0×106erg/cm3.
- 耿保荃黄致新
- 关键词：平均场理论磁性薄膜温度特性
- SmTbCo交换耦合双层膜的制备及特性研究
- 2008年
- 采用射频磁控溅射方法制备SmTbCo交换耦合双层膜并对其磁特性进行研究.所制备的SmTbCo双层膜,是由饱和磁化强度为340 emu/cm3的富过渡金属读出层和矫顽力为5.80 kOe的富稀土写入层构成.通过交换耦合,具有大的饱和磁化强度SmTbCo读出层的矫顽力,可以由1.85 kOe提高到5.96 kOe.双层薄膜的交换耦合及其在外场中的磁化行为,可以由微磁模型得到合理的解释.
- 俞伟钧钱显义黄致新
- 关键词：交换耦合磁特性
