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博士科研启动基金(L2003B08)

作品数：3 被引量：9H指数：1
相关作者：聂向富甄聪棉马丽李秀玲王印月更多>>
相关机构：河北师范大学兰州大学更多>>
发文基金：博士科研启动基金国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇磁记录
  • 1篇电阻
  • 1篇多层膜
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇微结构
  • 1篇接触电阻
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇缓冲层
  • 1篇VSM
  • 1篇XRD
  • 1篇COCRTA
  • 1篇CR
  • 1篇FE
  • 1篇FEPT
  • 1篇触电
  • 1篇传输线
  • 1篇传输线模型
  • 1篇垂直磁记录
  • 1篇磁特性

机构

  • 3篇河北师范大学
  • 1篇兰州大学

作者

  • 3篇甄聪棉
  • 3篇聂向富
  • 2篇马丽
  • 1篇潘成福
  • 1篇王印月
  • 1篇李秀玲
  • 1篇刘英
  • 1篇张金娟
  • 1篇翟晓霞
  • 1篇甄聪稀

传媒

  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇大学物理

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响
2007年
利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.
甄聪棉马丽张金娟刘英聂向富
关键词：COCRTA垂直磁记录缓冲层微结构
高密度磁记录用FePt/Ta多层膜微结构与磁性
2006年
采用直流对靶磁控溅射方法生长了FePt／Ta多层膜．X射线衍射（XRD）分析表明[FePt（2．5nm）／Ta（2．5nm）]5样品经过650℃退火实现了从无序到有序的转变．磁测量表明当Ta层厚度为2．5nm时。FePt的磁特性达到最好，矫顽力为543．4kA·m^-1，矩形比也达到最大（0．80559）．原子力显微图观察发现，650℃退火后的样品纳米晶粒分布比较均匀。粒径大约为10～20nm．磁力显微图观察说明大量粒子取向一致．计算得到激活体积远大于晶粒体积的事实说明薄膜的磁化反转过程主要是由磁矩转动控制的．
甄聪稀甄聪棉翟晓霞马丽聂向富
关键词：磁记录FEPT多层膜XRDVSM
欧姆接触中接触电阻率的计算被引量：9
2005年
从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详细地从实验上综合各种测试方法,并讨论了其利弊.
甄聪棉李秀玲潘成福聂向富王印月
关键词：欧姆接触接触电阻率传输线模型
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