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安徽省科技攻关计划(10120106005)

作品数：9 被引量：45H指数：5
相关作者：陈兴许高斌马渊明李凌宇卢翌更多>>
相关机构：合肥工业大学中国兵器工业集团更多>>
发文基金：安徽省科技攻关计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 7篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程

主题

  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 4篇加速度
  • 3篇速度传感器
  • 3篇加速度传感器
  • 2篇电容
  • 2篇电容式
  • 2篇多孔硅
  • 2篇SOI
  • 2篇MEMS
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇电容式加速度...
  • 1篇电阻
  • 1篇压力传感器
  • 1篇压敏电阻
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻式
  • 1篇压阻式加速度...

机构

  • 9篇合肥工业大学
  • 1篇中国兵器工业...

作者

  • 8篇许高斌
  • 8篇陈兴
  • 4篇马渊明
  • 2篇李凌宇
  • 2篇卢翌
  • 1篇展明浩
  • 1篇韩成成
  • 1篇皇华
  • 1篇汪祖民
  • 1篇胡芳菲
  • 1篇张胜兵
  • 1篇黄晓莉
  • 1篇王文靖
  • 1篇胡潇
  • 1篇朱华铭
  • 1篇沈文清

传媒

  • 2篇电子科技
  • 2篇电子测量与仪...
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
微机械双轴电容式加速度传感器设计
2014年
设计一款机械噪声较小、灵敏度较高的双轴电容式加速度传感器,其具有4个水平检测单元,X、Y轴向的检测单元各有两组,且水平对称,有效地消除了轴间的交叉干扰;结构中的保护限位装置避免了结构因加速度值过大而断裂失效和结构测量的不准确。该加速度敏感质量块的大小为3 250μm×3 250μm×5μm;栅型条的尺寸大小为1 575μm×35μm×5μm;间距为35μm,利用Ansys软件对加速度传感器进行性能仿真,得出加速度传感器X和Y轴向的静态灵敏度为0.253μm/g;电容灵敏度为1.533 pF/g;X和Y轴向的谐振频率为949 Hz,阻尼比为0.83。
沈文清胡芳菲
关键词：传感器灵敏度谐振频率
ICP深硅刻蚀工艺研究被引量：20
2013年
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。
许高斌皇华展明浩黄晓莉王文靖胡潇陈兴
关键词：感应耦合等离子体刻蚀工艺参数
用于MEMS封装的纳米多孔硅气敏特性分析
2014年
摘要：采用双槽（自制）电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备多孔硅（PS）层，利用AFM技术分析多孔硅的表面形貌。研究分析了电流密度为20～60mA／cm2时，多孔硅的孔径、孔深和孔隙率，并分析测试了多孔硅对高浓度乙醇的气敏特性。结果表明，在不同的电流密度腐蚀下，孔径都在10nm左右；随着电流密度的增加，多孔硅的孔深和孔隙率增大且腐蚀的均匀性较好。当电流密度大于40mA／cm2后，腐蚀的均匀性开始变差，灵敏度波动较大。通过对多孔硅气体吸附灵敏度的分析，在电流密度为40mA／cm^2时，对各浓度的乙醇气体的灵敏度相对稳定，均值达到2．24X10^6kΩ，因此该类样品更适用于MEMS高真空封装的纳米吸气剂。
许高斌杨业汕马渊明陈兴
关键词：气敏特性
SOI高g值压阻式加速度传感器与工艺实现
2013年
基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效地消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。测试系统分析出加速度传感器的灵敏度是1.170μV/g。研究表明该加速度传感器可实现对量程高达25×104g加速度的测量。
许高斌陈兴马渊明卢翌汪祖民
关键词：高G值压阻式加速度传感器SOI
不等高梳齿电容式三轴MEMS加速度传感器被引量：9
2011年
利用ICP体硅深加工,本文设计分析了一种三轴三质量块的电容式加速度传感器。水平方向采用定齿偏置配置梳齿式,垂直方向采用不等高对称梳齿式;对称的布局方式,解决了各个轴向的相互干扰问题。利用有限元分析工具对设计进行模拟,证实了设计的合理性和可行性。X、Y轴向和Z轴向的灵敏度分别为1.2 fF/g和1.0 fF/g,量程为±50 g。
许高斌朱华铭陈兴
关键词：电容式加速度传感器MEMS
多孔硅相对湿度传感器的设计被引量：5
2015年
基于对三明治型与平铺型两种多孔硅湿度传感器结构的灵敏度分析与比较,结合两种结构的优点,设计出新的传感器的结构。通过对该结构湿度传感器的性能测试,得出该传感器的灵敏度为1.1 p F/RH%,响应时间为73 s,温度湿度系数为0.5%RH/℃,该湿度传感器适用于在中低湿环境中测量,在每隔20 d的时间对传感器跟踪测试,证明该传感具有较好的稳定性。此外为了传感器可以自解吸附,该传感器采用多晶硅为传感器加热除湿,在金属电极上溅射一层钝化层以防止电极被水汽腐蚀。
张胜兵许高斌陈兴马渊明
关键词：MEMS湿度传感器仿真多孔硅
Z轴完全差分电容式加速度传感器设计分析
2012年
设计了一种Z轴完全差分电容式加速度传感器,交错梳齿、两组对称可动梳齿通过挠性梁连接在固定衬底上,对称布局使结构稳定并解决了X和Y轴向对Z轴向加速度检测的耦合干扰。对传感器在敏感方向加速度作用下的偏转特性进行分析,给出了相关理论模型并对其求解。对传感器在非敏感方向加速度作用下的扭转变形进行分析,计算该扭转对Z轴检测产生的干扰与结构之间的关系。通过结构的优化设计,使传感器在设计的量程范围内达到最佳检测效果。利用ANSYS进行模拟分析,得到该传感器的灵敏度为0.31 fF/g,验证了本设计分析的合理性、可行性和精确性。
许高斌韩成成陈兴
关键词：电容式加速度传感器
SOI基纳米硅薄膜超微压压力传感器研究被引量：6
2013年
设计分析了一种SOI基纳米硅薄膜的压阻式压力传感器，构建SOI埋层氧化层、SOI上层硅和A1N绝缘层多层压力敏感薄膜结构。利用纳米硅薄膜作为压敏电阻，AIN薄膜作为绝缘层，埋层氧化层自停止腐蚀制作压力空腔。该传感器的制备工艺简单，一致性、重复性好。通过ANSYS模拟分析了压力敏感层结构参数对传感器灵敏度的影响以及传热特性，验证了结构设计和理论模型的正确性和合理性。研究表明，该传感器灵敏度可达到1．3mV／（kPa·V），输出电压可达到0．65mV，且具有较好的线性度和高温性能，可实现对0—100Pa超微压的测量。
许高斌李凌宇陈兴马渊明
关键词：SOI纳米硅薄膜压力传感器
微机械陀螺仪设计与研究被引量：5
2013年
介绍了微机械陀螺仪的关键技术、种类、性能比较和不同应用领域对其性能参数的要求。总结了近几年国内外微机械陀螺仪结构的研究最新成果。对框架式、音叉式、振动轮式、振动环式、转子悬浮式、质量块式和双线振动式等微机械陀螺仪的结构、加工和性能等进行了分析比较。主要阐述了微机械陀螺仪的漂移误差、精度和封装技术3大研究难点和高精度、微加工维度、结构和电路优化、单片多自由度和单片集成化等研究发展趋势。
李凌宇卢翌陈兴许高斌
关键词：微系统陀螺仪结构特点
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