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国家自然科学基金(19874082)

作品数：9 被引量：28H指数：3
相关作者：林位株文锦辉张海潮郭冰赖天树更多>>
相关机构：中山大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 3篇激光
  • 3篇光电
  • 2篇砷化镓
  • 2篇锁模
  • 2篇透镜
  • 2篇克尔透镜
  • 2篇克尔透镜锁模
  • 2篇飞秒
  • 2篇LT-GAA...
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇单片机控制
  • 1篇电脉冲
  • 1篇电子学
  • 1篇调制
  • 1篇多用途
  • 1篇散射
  • 1篇色散
  • 1篇自启动
  • 1篇自相关

机构

  • 9篇中山大学

作者

  • 9篇林位株
  • 7篇张海潮
  • 7篇文锦辉
  • 5篇郭冰
  • 4篇廖睿
  • 4篇赖天树
  • 2篇钟伟彬
  • 2篇刘智刚
  • 2篇邓莉
  • 1篇黄淳
  • 1篇黄亚萍
  • 1篇黄新邦
  • 1篇邹永德
  • 1篇李润华
  • 1篇王惠

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇中山大学学报...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 5篇2000
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
低泵浦功率自启动KLM锁模钛宝石飞秒激光器被引量：2
2000年
A low pump power self starting Kerr lens mode locking Ti:sapphire laser without internal aperture is demonstrated and analyzed with “thick lens” model and with self consistency gain modulation. Pulses as short as 15 fs are generated with pump power of 3 5 W.
文锦辉郭冰张海潮廖睿林位株
关键词：克尔透镜锁模泵浦功率
光激发LT-GaAs共面微带传输线THz色散与衰减特性被引量：4
2000年
采用半经验色散公式分析了 L T- Ga As厚衬底共面微带传输线的 THz模式色散与切伦柯夫辐射损耗特性 ,同时计算了导体欧姆损耗和衬底介电损耗 .结果表明 ,较小的横向尺寸有利于改善 L T- Ga As共面微带传输线模式色散和辐射损耗特性 。
郭冰文锦辉张海潮钟伟彬林位株
关键词：LT-GAASTHZ色散光激发
一种多用途的光电自动微调器
2001年
本文介绍一种多用途光电自动微调器 ,它是由单片微机控制的具有自动反馈功能的光电子器件 。
钟伟彬刘智刚黄亚萍林位株
关键词：单片机控制
半导体带间光学极化的超快退相被引量：2
2001年
采用半经典理论 ,讨论了半导体带间光学极化的两种超快退相机制 :载流子 光学声子散射 (包括谷间散射和空穴 声子散射 )和载流子 载流子散射 .阐明了载流子 光学声子散射对退相率的贡献是电子 光学声子散射率与空穴 光学声子散射率之和的一半 .引入反映动量交换的权重因子 ,描述了载流子 载流子散射退相率对散射角的依赖性 .导出了半导体带间极化的总退相率的表达式和计算曲线 ,较好地解释了实验现象和报道的测量结果 .
张海潮邓莉文锦辉廖睿赖天树林位株
关键词：半导体
CaAs中光生重空穴的空穴—空穴散射被引量：5
2000年
讨论了高斯型载流子分布的静态屏蔽效应及其对空穴—空穴散射率的影响 ,说明随着空穴初始动能的减小 ,载流子分布的静态屏蔽效应和散射前后空穴波函数的重叠积分导致散射率迅速减小 .重叠积分对空穴—空穴散射率带来的修正因子的下限约为 0 3,上限为 1,均大于先前报道的修正因子 0 1.
张海潮文锦辉郭冰赖天树林位株
关键词：砷化镓
8-羟基喹啉铝高分子复合物薄膜的瞬态荧光特性与机理被引量：2
2000年
对 8 -羟基喹啉铝 (Alq3)高分子复合物薄膜的的瞬态荧光特性和机理进行了研究 ,发现复合物薄膜的荧光寿命比 Alq3样品的寿命明显缩短 ,荧光峰值波长紫移 ,高分子基质引起的淬灭过程可能是导致复合物薄膜寿命降低的主要原因 ,而 Alq3分子与基质分子间的互作用则引起荧光峰值波长的移动。
黄新邦李润华王惠邹永德黄淳林位株
LT-GaAs飞秒光电导特性被引量：3
2001年
采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性 .实验测得不同激发波长或偏置电压下 L T- Ga As光电导开关瞬态响应驰豫时间约 35 0～ 390 fs,由实验数据计算得到电子迁移率约 10 0 0 cm2 /V.s.由导出的瞬态光电流相关响应归一化表达式 ,对实验曲线进行数据拟合 ,结果与实验曲线吻合 .
郭冰文锦辉张海潮廖睿赖天树林位株
关键词：飞秒激光LT-GAAS超快光电导开关
KLM钛宝石激光器产生亚10fs光脉冲被引量：11
2002年
在改进的克尔透镜锁模钛宝石激光器中,选择谐振腔工作在下稳区的上边界附近,利用克尔介质软光阑中腔模半径随光功率增强而增大、而不是缩小的增益调制效应实现自锁模,减弱了频率依赖的腔模尺寸效应与增益饱和效应对频带展宽的限制.同时,采用宽带腔镜和棱镜对群速度色散补偿等技术,在 710 nm附近获得了8.5 fs的脉冲输出,该脉冲频谱半宽度 92nm,平均功率220 mW.
廖睿文锦辉刘智刚邓莉张海潮赖天树林位株
关键词：钛宝石激光器克尔透镜锁模自相位调制
飞秒电脉冲光电导自相关探测
2000年
飞秒激光脉冲光电导取样技术在超短电脉冲的产生与测量及其在超高速光电子器件特性研究、光通信与光电信息处理等方面有着十分诱人的应用前景,已成为近年来超快光电子学研究的热点[1,2].本文介绍采用飞秒激光脉冲自相关方法在低温生长砷化镓(ＬＴＧａＡｓ)共面微带传输线?..
郭冰文锦辉张海潮钟伟斌林位株
关键词：激光光电子学砷化镓
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