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Al、N共掺杂实现ZnO的p型转变及其掺杂机理探讨被引量：8: 2004年; 利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂的方法生长p -ZnO薄膜。ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来源于AlxZn1-x(x =0 0 8% )靶材。利用XRD、XPS、Hall测试对其性能进行了分析。结果表明 ,用Al、N共掺杂的方法可以得到c轴择优取向的p型ZnO薄膜 ,载流子浓度为 (10 14 ～ 10 15)cm-3 ,电阻率为 (1 5 4～3 4 3)× 10 3 Ω·cm ,迁移率为 (1 16～ 4 6 1)cm2 /V·s。由Al、N共掺杂和仅掺N的两种情况下ZnO薄膜的N1s的XPS图谱可以推断出 ,N的掺入可能是以Al-N键的形式存在 ,而且Al的存在促进了N原子作为受主的掺入。; 钱庆叶志镇袁国栋朱丽萍赵炳辉; 关键词：ZNO薄膜共掺杂 SI衬底载流子浓度直流反应磁控溅射衬底温度

快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响被引量：1: 2002年; 研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度 .RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加 .这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一 .; 卢励吾张砚华徐遵图徐仲英王占国J.WangWeikunGe; 关键词：电子发射 DX中心激光二极管 RTA INGAAS/GAAS 砷化镓

光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展被引量：5: 2001年; 对自 2 0世纪 90年代以来在InGaAsPIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述 ,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的新进展 ,同时也介绍了超高速光电探测器封装结构。; 刘家洲李爱珍张永刚; 关键词：化合物半导体 INGAAS

铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5: 2002年; 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着; 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国; 关键词：MOVPE 光电特性

氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光被引量：9: 2002年; 利用低压 MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了 Ga N,用离子注入法掺入 Mg杂质 ,退火后 ,进行光致发光测量 ,观察到显著的蓝光发射和黄带发射 .光谱分析给出了与注入 Mg离子相关的 Ga N禁带中能级的精细结构 ,其中 :间位 Mg(Mgi)能级 (导带下 170 m e V)到替位 Mg(Mg Ga)受主能级 (价带上 2 5 0 me V)的跃迁产生了 4 15 nm发光峰 ;该能级到价带上 390 me V能级的跃迁 ,以及带有紧邻 N空位的替位 Mg(Mg Ga VN)能级 (导带下 310 me V)到Mg Ga受主能级的跃迁 ,均产生了 4 38nm发光峰 .另外 ,退火使 Ga N晶格结构部分恢复。; 谢世勇郑有炓陈鹏张荣周玉刚; 关键词：氮化镓掺杂离子注入光致发光镁

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别被引量：1: 2002年; 应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存在着较大浓度 (10 1 5- 10 1 7cm- 3 )和俘获截面 (10 - 1 6cm2 )的近禁带中部电子陷阱 .它们可能与AlGaAs层的氧含量有关 .同时还观察到P HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心 (与硅有关 )能级位置的有序移动 .其移动量可作为应力大小的一个判据 ,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具 .; 卢励吾张砚华J.WangWeikunGe; 关键词：分子束外延生长高电子迁移率功能材料深能级瞬态谱光电器件

金属/n型AlGaN欧姆接触被引量：12: 2002年; 用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测得欧姆接触电阻率达 1.6× 10 - 4Ω· cm2 .经 X射线衍射分析 ,Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面固相反应得出在 5 0 0℃以上退火过程中 ,Al Ga N层中 N原子向外扩散 ,在 Al Ga N表面附近形成 n型重掺杂层 ,导致欧姆接触电阻率下降 ;随退火温度的升高 ,N原子外扩散加剧 ,到 80 0℃以上退火在 Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面形成 Ti2 N相。; 周慧梅沈波周玉刚刘杰郑泽伟钱悦张荣施毅郑有炓曹春海焦刚陈堂胜; 关键词：欧姆接触界面固相反应金属

Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究: 2002年; 用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5; 汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波李卫平施毅郑有炓

Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文): 2006年; 在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.; 唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩; 关键词：二维电子气输运性质

直流反应磁控溅射N掺杂p型ZnO薄膜的生长及其特性: ZnO是一种新型的宽禁带直接带系半导体材料,为极性半导体,呈n型。本文以NH为掺杂源,利用直流反应磁控溅射技术成功制备出了p型ZnO薄膜,并研究了气氛中不同的NH含量[NH/(NH+O)=0,0.25,0.50,0.75...; 张银珠吕建国叶志镇汪雷赵炳辉; 关键词：P型ZNO N掺杂直流反应磁控溅射; 文献传递

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