国家教育部博士点基金(20020335017)
- 作品数：17 被引量：82H指数：6
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- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- 复相陶瓷BSTN的相组成和微观结构与Sr／Ba比的关系
- 2006年
- 按配方(1-x)BaO·xSrO·0．7TiO2·0．3Nb2O5制备不同Sr／Ba比的钙钛矿／钨青铜复相陶瓷,用XRD和SEM研究其组成和结构与Sr／Ba比的关系．结果表明,改变Sr／Ba比对两相稳定共存没有影响;受同一体系中两相不同固溶能力控制,钙钛矿相中Ba2+和Sr2+之间的置换几率远大于钨青铜相中,其Sr／Ba比随体系Sr／Ba比变化,而钨青铜相的Sr／Ba比维持约0．667基本不变;控制体系Sr／Ba比偏离该值,钙钛矿相的晶格常数相应偏离标准值,而钨青铜相基本不变;提高Sr／Ba比,钙钛矿相晶粒尺寸减小,而钨青铜相变化不明显．两相共存体系中,当两相都可形成固溶体但固溶能力不同时,固溶度大的一相优先参与置换,并抑制另一相的固溶．
- 周宗辉程新杜丕一
- 关键词：相组成微观结构
- PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究被引量：3
- 2005年
- aSi1xCx∶H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变。深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要。本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出aSi1xCx∶H薄膜,并采用红外光谱、喇曼光谱及紫外可见光谱等分析测试手段对薄膜中SiC键的形成及其对光学能隙的影响进行了研究分析。分析表明SiC键的形成几率及SiC键的形成能力随着C和Si的含量接近而显著增加,SiC键随着沉积功率的提高显著增加。研究得出,薄膜的光学能隙Eg受到aSi1xCx∶H薄膜中的键合情况及薄膜缺陷态的影响。Eg随着薄膜中SiC键含量的增加而变大,随着薄膜中的H含量的减少缺陷态的增加而减小。
- 张翼英杜丕一韩高荣翁文剑汪建勋
- 关键词：光学带隙
- 溶胶凝胶法制备Bi掺杂PST薄膜及结构研究
- ＜正＞铁电材料已经在许多领域得到了广泛的应用。其中,（Pb,Sr）TiO3（PST）体系以其低结晶温度、高介电常数和优异的介电常数可调性,有望在微波可调器件方面得到新的应用。与其它介电材料相似,在PST材料中掺杂,有望进...
- 赵永林杜丕一翁文剑韩高荣
- 文献传递
- 乙炔黑电极材料的双电层电容器制备与性能研究被引量：5
- 2005年
- 利用乙炔黑为导电粉体,以PTFE为胶粘剂成功制备了具有较好充放电性能的多孔结构双电层电容器。利用TEM测定了电极材料乙炔黑的粉末形貌,利用SEM测定了电极的表面形貌,利用充放电电路测定了电容器的充放电曲线。研究结果表明,电极加工压力减小,小半径的孔洞所占比例下降,电极的实际使用表面积增大,比容量增高。压力从48Mpa下降到16MPa,比容量增大17%。压力大于48MPa,压力对电极的有效面积影响不大。胶粘剂含量下降,有效使用面积增大,电容器比容量提高。胶粘剂从14%降低到6%,比容量增大46%。压力增大导致电极的有效面积降低,电极上电荷密度提高,充电后的保持电压增大。电解液浓度增大,通过影响极板电荷密度,充电保持电压也有所提高。多孔电极的孔径分布,尤其是小孔径孔洞含量的增加直接影响了双电层电容器的充放电过程。随制备压力增大,小孔量增加,初期放电缓慢,后期加速。
- 彭宝利孟津杜丕一
- 关键词：乙炔黑PTFE双电层电容器
- 射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究
- 本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH4和CH4混合气体,在300℃低温下生长出了Si-C-H薄膜,并对沉积的薄膜在N2氛围中进行了退火研究。用红外吸收光谱、X射线衍射、原子力显微镜对薄膜进行热处理前后的结构和表...
- 张翼英杜丕一韩高荣
- 关键词：退火红外XRDAFM
- 文献传递
- Ni,Fe离子掺杂对Ge-Sb-Se薄膜的结构与性能影响研究被引量：3
- 2005年
- 采用低温烧结靶材,以电子束蒸发方法制备了掺Fe和掺Ni的Ge-Sb-Se薄膜,所制备的薄膜均为p型半导体.用AFM,UV-VIS,Hall和阻抗分析仪研究了薄膜的形貌、结构和性能.研究表明薄膜形成时的成膜离子活性大、掺杂元素与系统本征元素电负性间差值小以及一定的热处理后,薄膜的网络结构相对较完整,网络畸变较小,缺陷也较少.掺杂Fe,Ni既可参与Ge-Sb-Se薄膜成键,影响网络结构的完整性;也会在费米能级附近引入缺陷态密度,增加了对载流子跃迁的陷阱作用.与Fe掺杂相比,Ni掺杂使薄膜具有较完整的网络结构,较低的中性悬挂键浓度和在交变电场下可具有较少的极化子产生,相应粗糙度较小、光学带隙较宽、载流子迁移率较高、载流子浓度较低和薄膜介电损耗较小.
- 张海芳杜丕一翁文剑韩高荣
- 关键词：离子掺杂电子束蒸发阻抗分析网络结构
- 热处理条件对sol-gel法Pb_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3薄膜形成影响的研究被引量：6
- 2005年
- 采用sol-gel法,利用快速热处理工艺过程,保持烧结温度在最低温度(约500℃)以上,制备了多晶钙钛矿结构的PST(Pb0.4Sr0.6TiO3)薄膜.通过XRD、SEM、AFM等方法对晶相的形成与热处理条件之间的关系进行了测试.研究表明,利用溶胶-凝胶法制备PST薄膜的钙钛矿晶相形成过程及晶相含量受制备过程及晶相形成时离子的活性所控制.通过快速热处理方法,在凝胶分解过程中得到的高活性离子直接形成晶相,可以得到相应更多的晶体含量及在较低的温度下形成晶相.在600℃下RTP制备的PST薄膜的晶相含量比同温度下保温热处理薄膜增加约14％,利用RTP制备PST薄膜的晶相形成温度约在500℃,相应要降低约50℃.薄膜的表面形貌受制备热处理过程影响,快速热处理薄膜的表面保持形成时的形貌:非晶相薄膜以光洁表面出现,晶态膜以均匀分布山峰状的形貌出现.受气氛的浸蚀作用,长时间热处理后的薄膜表面出现了变化,在原形貌的基础上以细小颗粒状覆盖的表面出现.
- 刘远良杜丕一翁文剑韩高荣沈鸽
- 关键词：SOL-GEL
- 高掺银-钛酸铅复相薄膜的制备研究被引量：1
- 2005年
- 采用溶胶-凝胶法,通过在新鲜溶胶和在陈化溶胶中分别高掺银这两种制备工艺过程,制备了分散均匀的立方相银颗粒-钛酸铅相基质复相薄膜.利用XRD,SEM,TEM等方法对先驱体溶胶和薄膜的组成与结构进行了测试.研究表明,溶胶中Ag的存在形式直接对薄膜的晶相形成过程产生影响.当银以Ag+的形式存在于溶胶中时,银优先消耗部分铅析出银-铅合金相,体系含银量较少时形成焦绿石相钛酸铅,含银量较多时,形成固溶有银的钙钛矿相钛酸铅;当银以银团簇的形式存在于溶胶中时,薄膜中直接形成钙钛矿相钛酸铅晶相.
- 唐立文杜丕一翁文剑韩高荣
- 关键词：银钛酸铅溶胶-凝胶法
- 复相陶瓷(0.5BaO0.5SrO)[(1-y)TiO_(2y)Nb_2O_5]的介电性能研究(英文)被引量：10
- 2004年
- 通过对组成进行一定的过量控制,利用传统陶瓷工艺,成功制备了具有钙钛矿相钛酸锶钡固溶体和钨青铜相铌酸锶钡固溶体两相稳定共存的(0.5BaO0.5SrO)[(1-y)TiO2yNb2O5](BSTN)复相陶瓷。用RiguakuD/max-2400型X射线衍射仪和KEITHLEY3330阻抗分析仪对所得样品的相结构状态及介电性能进行了测试。结果表明:y值在0.1～0.7之间的BSTN复相陶瓷为钙钛矿相和钨青铜相两相稳定共存的复合相;在该范围以外,则为单一相的钛酸锶钡与Nb或铌酸锶钡与Ti的固溶体。复相陶瓷的介电性能取决于钙钛矿相和钨青铜相的相对含量及其固溶度,当组成y约为0.7时,介电常数达到最大值;随测试频率的提高,介电常数和损耗降低。复相陶瓷中钨青铜相的铁电/顺电相转变温度与钨青铜相中固溶TiO2量相关,随固溶量增加,转变温度降低。同时,受复相陶瓷中钙钛矿相的影响,随钙钛矿相相对含量的增加,转变温度升高;钨青铜相的最低铁电/顺电相转变温度出现在约110℃,比Sr0.5Ba0.5Nb2O6下降约240℃。
- 周宗辉杜丕一翁文剑韩高荣沈鸽
- 关键词：钙钛矿钨青铜复相陶瓷介电性能
- 磁控溅射法制备具有同质缓冲层的PST薄膜被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法制备了以低功率溅射得到的PbxSr1-xTiO3(PST)薄膜为缓冲层(同质缓冲层)的PST双层薄膜。通过X-射线衍射、扫描电镜、阻抗分析仪和铁电分析仪对薄膜相结构、表面形貌、介电损耗和铁电性能进行了测试分析。结果表明,以低功率溅射得到的PST薄膜作为同质缓冲层的双层薄膜可减少薄膜的缺陷,从而有效降低介电损耗。
- 李敏睿杜丕一袁东升王问斯
- 关键词：铁电薄膜磁控溅射
