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国家教育部博士点基金(20101317110001)

作品数：2 被引量：4H指数：1
相关作者：陈爱华刘志国杨帆杨瑞霞孙聂枫更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇磷化铟
  • 2篇INP单晶
  • 1篇应力
  • 1篇应力研究
  • 1篇均匀性
  • 1篇磷
  • 1篇LEC法生长
  • 1篇残留应力
  • 1篇掺铁

机构

  • 2篇河北工业大学
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇孙聂枫
  • 2篇杨瑞霞
  • 2篇杨帆
  • 2篇刘志国
  • 2篇陈爱华
  • 1篇李晓岚
  • 1篇潘静

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究被引量：3
2014年
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究。结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性。由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加。
杨帆杨瑞霞陈爱华孙聂枫刘志国李晓岚潘静
关键词：磷化铟
LEC法生长富磷掺铁InP单晶晶格应变与残留应力研究被引量：1
2014年
运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶。运用高分辨率X射线衍射技术、偏振差分透射谱测试技术、光致荧光谱技术对富磷掺Fe的InP晶片进行了结构、应力及发光特性测试。结果表明,晶格的应变导致了PL发光峰峰位的变化,晶格应变与残留应力测试结果相一致,说明材料生长过程中的热应力是导致样品晶格常数分布不均匀的主要因素。
陈爱华杨瑞霞杨帆刘志国孙聂枫
关键词：磷化铟残留应力
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