河北省科技攻关计划(03213540D)
- 作品数：7 被引量：29H指数：4
- 相关作者：陈国鹰辛国锋花吉珍康志龙安振峰更多>>
- 相关机构：河北工业大学中国电子科技集团第十三研究所中国科学院更多>>
- 发文基金：河北省科技攻关计划河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 941nm连续波高功率半导体激光器线阵列被引量：4
- 2004年
- 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为77％),最高转换效率超过45％,阈值电流密度为117A/cm^2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
- 辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙安振峰冯荣珠
- 关键词：高功率金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列单量子阱
- 941nm大功率应变单量子阱激光器的波长设计被引量：11
- 2004年
- 从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级对激射波长的影响 .该模型计算结果与实验值相吻合 .
- 辛国锋陈国鹰花吉珍赵润康志龙冯荣珠安振峰
- 关键词：薛定谔方程应变量子阱量子阱激光器
- 941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列被引量：4
- 2004年
- 计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
- 辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙杨鹏徐会武安振峰
- 关键词：金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列分别限制结构单量子阱
- 半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀被引量：1
- 2003年
- 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比 (从 0 0 2到 0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件 (室温 2 3℃ ,腐蚀时间 4min)以及最佳配比 (体积比为 0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求 .
- 辛国锋陈国鹰冯荣珠花吉珍安振峰牛健赵卫青
- 关键词：半导体激光器阵列扫描电子显微镜
- 双激光二极管bar条光纤耦合技术被引量：1
- 2008年
- 对半导体激光器阵列bar光纤耦合技术进行了分析和模拟,研制了双bar光纤耦合模块,成功地将双bar条通过偏振合束的方法耦合进芯径为400μm、数值孔径为0.22的光纤,其连续功率为60 W,功率密度为4.8×104W/cm2。
- 花吉珍徐会武陈国鹰任浩
- 关键词：光纤耦合
- 连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器被引量：3
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
- 辛国锋陈国鹰花吉珍康志龙赵卫青安振峰冯荣珠牛健
- 关键词：半导体激光器金属有机化合物气相淀积连续波MOCVD材料结构
- 现代光电子的发展现状、特征和趋势被引量：7
- 2005年
- 系统地介绍了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势.详细地介绍了几种半导体激光器、Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势.
- 康志龙辛国锋陈国鹰谢红云
- 关键词：光电子器件半导体激光器量子线量子点
