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国家自然科学基金(51003005)

作品数:1 被引量:3H指数:1
相关作者:邹炳锁钟海政陈冰昆更多>>
相关机构:北京理工大学更多>>
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相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电池
  • 1篇荧光
  • 1篇生物标记
  • 1篇太阳电池
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体纳米晶

机构

  • 1篇北京理工大学

作者

  • 1篇陈冰昆
  • 1篇钟海政
  • 1篇邹炳锁

传媒

  • 1篇化学进展

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶被引量:3
2011年
半导体纳米晶是近年来发展起来的一类新型功能材料,因其独特的量子限域效应和光电性质,在太阳电池、发光二极管、光电探测器、生物标记、非线性光学等领域中具有潜在的应用。与目前研究比较多的Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族纳米晶相比,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶,不含镉和铅等重金属元素,具有毒性小、带隙窄、光吸收系数大、Stokes位移大、自吸收小以及发光波长在近红外区等特点,有望成为新一代低成本太阳电池和低毒荧光量子点生物标记材料,还可用于发光二极管和光电探测等领域。因此,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶的合成、性质及应用研究成为近期纳米晶研究领域的热点之一。本文将综述Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶的研究进展,着重介绍其制备方法、光学性质及其在生物标记、太阳电池等领域的应用。
陈冰昆钟海政邹炳锁
关键词:半导体纳米晶荧光太阳电池生物标记
共1页<1>
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