通过对不同光强入射下 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射特性的测试 ,实验发现 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射电流随内场助偏压的增长过程经历了快速增长和缓慢增加两个阶段 ,相应的转折电压大小与入射光强有关 .理论分析表明 ,内场助作用下 Ag- Ba O薄膜体内能带结构发生了 Ag微粒和 Ba O介质间等效界面势垒减小及薄膜表面真空能级相对下降等两个方面的变化 ,其在内场助作用过程中相对效果的不同导致了光电流增长过程中的两个阶段 ;
通过掩膜预处理和挡板转移技术的配合 ,利用真空沉积方法首次制备了内场助结构Ag O Cs光电发射薄膜。Ag O Cs薄膜内场助光电发射特性测试结果表明 ,该方法能够有效地实现Ag O Cs薄膜体内电场的加载与表面电极的引出 ,薄膜光电灵敏度随内场偏压的增大而上升。Ag O Cs薄膜在内场作用下的光电发射增强现象与薄膜体内能带结构变化。
