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南通市应用研究计划项目(BK2012039)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：陈云郑小东于江江张健更多>>
相关机构：华东师范大学南通大学更多>>
发文基金：南通市应用研究计划项目国家自然科学基金南通大学自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电极
  • 1篇电离
  • 1篇湿法化学刻蚀
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米电极
  • 1篇纳米线
  • 1篇刻蚀
  • 1篇击穿电压
  • 1篇硅纳米线
  • 1篇场致电离
  • 1篇超低电压

机构

  • 1篇华东师范大学
  • 1篇南通大学

作者

  • 1篇张健
  • 1篇于江江
  • 1篇郑小东
  • 1篇陈云

传媒

  • 1篇华东师范大学...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅纳米电极超低电压场致电离特性研究被引量：1
2013年
用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律.测试结果表明,利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极,可以大大降低系统的击穿电压,原因在于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度.
陈云张健于江江郑小东
关键词：硅纳米线场致电离击穿电压湿法化学刻蚀
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