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锗/石墨/硅薄膜结构的制备及其性质分析被引量：1: 2015年; 利用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备出具有Ge/石墨/Si结构的薄膜样品,然后把其放入快速热退火(RTA)炉中退火。扫描电子显微镜(SEM)测试表明,石墨过渡层的引入缓解了Si、Ge之间的晶格失配和热失配。X射线衍射(XRD)分析表明450℃是Ge薄膜晶化的临界衬底温度,750℃是使Ge薄膜RTA晶化程度明显提高的临界退火温度,30s是最佳退火时间。; 牟潇野陈诺夫白一鸣杨博陶泉丽陈吉堃; 关键词：衬底温度快速热退火

银纳米颗粒制备及表面增强拉曼散射研究: 高性能SERS(Surface Enhanced Raman Spectroscopy，SERS)活性衬底能够避免荧光背景的干扰，提高生化分析检测灵敏度，因而在生物化学、生物物理和分子生物学等领域有着广泛的应用前景。本文...; 苏琳; 关键词：银纳米颗粒微观形貌光学性能

空间用GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的抗辐照性能及退化机制研究被引量：3: 2017年; 利用TFC光学膜系设计软件,设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的布拉格反射器在中心波长850 nm处反射率高达96%,可以使800~900 nm波段内红外光有效反射后被二次吸收,提高了Ga As子电池的抗辐照能力。通过对两种电池结构A、B地面模拟辐照试验获得1 Me V电子辐照下Ga In P/Ga As/Ge太阳电池电学参数随辐照注量退化的基本规律。在此基础上应用PC1D模拟程序分析太阳电池内部的载流子输运机理,建立1 Me V电子辐照下两种电池结构中多数载流子浓度和少数载流子扩散长度随辐照电子注量变化的基本规律。研究结果表明,多数载流子浓度和少数载流子扩散长度均随入射电子注量的增大而减小,同时原电池结构A中多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数明显高于新电池结构B,由此表明包含布拉格反射器的新电池结构具有更强的抗辐照能力。; 马大燕陈诺夫陶泉丽赵宏宇刘虎白一鸣白一鸣; 关键词：布拉格反射器抗辐照

单晶硅快速磷扩散研究被引量：1: 2017年; 采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间。通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因。; 孔凡迪陈诺夫陶泉丽贺凯王从杰魏立帅白一鸣陈吉堃; 关键词：半导体材料 P-N结

多晶硅厚膜太阳电池最佳厚度理论设计被引量：1: 2015年; 晶体硅太阳电池是生产工艺最成熟、性能最稳定、应用最广泛的光电转换器件。目前晶体硅太阳电池的厚度一般为200μm左右,这一厚度对于光电转换效率不是最佳值。本文分别从少子扩散和入射光吸收两方面对晶体硅太阳电池厚度进行了理论分析,获得晶体硅太阳电池的最佳厚度为49 μm。今后,晶体硅太阳电池的发展趋势必然是厚度为49 μm的晶体硅厚膜结构。; 贺凯陈诺夫孔凡迪白一鸣牟潇野杨博陶泉丽何海洋陈心一陈吉堃; 关键词：太阳电池厚度

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展被引量：9: 2015年; 基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展。重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法。其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46%,也是目前实验室最高效率。此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望。; 付蕊陈诺夫涂洁磊化麒麟白一鸣弭辙刘虎陈吉堃

高效聚合物太阳电池电极界面修饰材料的研究: 源于制备工艺简单、低成本、质量轻、可应用于大面积和柔性器件等优点，体异质结聚合物太阳电池备受瞩目。作为能否走向产业化的关键指标，聚合物太阳电池的效率及其稳定性亟需提高。活性层和界面层是光电转换发生的核心功能层，具有优异电...; 杨博; 关键词：光电转换效率; 文献传递

贵金属纳米颗粒催化刻蚀硅表面微纳结构现状: 2015年; 简述了目前一些贵金属纳米颗粒催化刻蚀Si表面微纳结构的研究工作,并叙述了催化刻蚀反应的主要过程。在系统介绍催化刻蚀化学反应机理的基础上,对催化刻蚀的阴极、阳极反应进行了细致的探讨。根据不同的阳极和阴极反应方程式,讨论了不同的中间产物以及不同中间产物在反应中的作用机理。然后介绍了贵金属纳米颗粒的物理法和化学法两种制备方法。结合目前国内外研究进展,讨论了贵金属纳米颗粒种类、尺寸以及溶液成分比例对硅表面微纳结构的影响。最后对贵金属纳米颗粒催化刻蚀硅表面微纳陷光结构的未来前景进行了展望。; 刘海白一鸣陈诺夫延玲玲高征牟潇野; 关键词：硅衬底反射率

铝诱导多晶硅薄膜籽晶层的电学性质被引量：1: 2014年; 利用磁控溅射系统在玻璃衬底上制备出具有玻璃∕铝∕非晶硅的多层膜结构样品,然后在管式退火炉中以一定的温度退火,使非晶硅晶化形成多晶硅薄膜籽晶层。扫描电子显微镜(SEM)及光学显微镜测试表明,铝诱导结晶后样品中的铝层已被完全置换为连续并且厚度均匀的多晶硅层,多晶硅晶粒的平均尺寸为23μm。喇曼光谱测试和X射线衍射(XRD)分析表明,多晶硅薄膜籽晶层具有良好的结晶质量,并且具有高度的(111)择优取向。霍尔测试结果表明,铝诱导多晶硅薄膜籽晶层属于高浓度p型掺杂,掺杂浓度达到了1018/cm3。分析认为铝在非晶硅晶化过程中不仅扮演了诱导金属的角色,还起到了掺杂的作用。; 吴强陈诺夫辛雅焜黄添懋陈吉堃牟潇野杨博白一鸣; 关键词：多晶硅薄膜掺杂

GaAs基多结太阳电池TiO_2/Al_2O_3/SiO_2减反射膜的设计与制备被引量：1: 2017年; 宽光谱低反射率减反射膜对提高GaAs基多结太阳电池的光电转换效率至关重要。设计和制备了宽光谱TiO_2/Al_2O_3/SiO_2三层减反射膜。理论研究发现,当TiO_2/Al_2O_3/SiO_2三层减反射膜最佳物理厚度为41.74 nm/78.74 nm/94.98 nm时,在350~1 800 nm宽光谱范围内获得最小有效反射率为2.85%。依据理论设计,采用真空电子束蒸发法制备了相应厚度的TiO_2/Al_2O_3/SiO_2三层减反射膜,分光光度计测试结果表明,在350~1 800 nm宽光谱范围内,有效反射率为7.21%,且在485 nm和850 nm波长附近获得反射率极小值4.39%和2.16%。; 付蕊陈诺夫白一鸣涂洁磊刘虎马大燕陶泉丽陈吉堃; 关键词：反射谱电子束蒸发

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