浙江省重大科技专项资金(2006C11007)
- 作品数：3 被引量：17H指数：3
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- 0.6m CMOS过温保护电路设计被引量：3
- 2008年
- 采用CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成:PTAT(与热力学温度成正比)电压产生电路,带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30～130℃温度范围内PTAT输出电压线性度良好(最大偏差小于1.6%),灵敏度约为10mV/℃;关断温度可由外接电阻设定,85℃以下实测值与设定值偏差小于5℃,85℃以上偏差稍大约为10℃。该过温保护芯片电路结构简单、面积小、功耗低,且具有良好的移植性,可广泛应用于LED照明驱动电路,电源管理芯片等场合,也可用于和MOS功率器件混合封装组成带过温保护的功率器件模块。
- 董小英孙颖朱大中
- 关键词：互补金属氧化物半导体过温保护功率场效应管
- 滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计被引量：12
- 2009年
- 设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5～9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。
- 谢治中丁扣宝何杞鑫
- 关键词：发光二极管恒流驱动滞环电流控制
- 基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究被引量：3
- 2008年
- 研究了采用高边电流检测方案的大功率LED恒流驱动芯片。基于25V,1.5μm BCD工艺,运用Cadence的SpectreS工具对电路进行了仿真。结果表明,LED驱动电流为滞环变化的三角波,在8～23V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于4%。芯片的实测数据与仿真结果基本一致,实现了恒流驱动大功率LED的功能。
- 谢治中丁扣宝何杞鑫
- 关键词：发光二极管
