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国家科技攻关计划(2004BA410A02)

作品数：3 被引量：38H指数：3
相关作者：席珍强邓海杨德仁阙端麟唐骏更多>>
相关机构：浙江大学杭州海纳半导体有限公司浙江理工大学更多>>
发文基金：国家科技攻关计划浙江省自然科学基金国家留学基金更多>>
相关领域：动力工程及工程热物理电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇少子寿命
  • 2篇铁
  • 2篇氧
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇杂质对
  • 1篇碳

机构

  • 2篇浙江大学
  • 1篇浙江理工大学
  • 1篇中国光电技术...
  • 1篇杭州海纳半导...

作者

  • 3篇席珍强
  • 2篇杨德仁
  • 2篇邓海
  • 1篇杜平凡
  • 1篇阙端麟
  • 1篇徐敏
  • 1篇姚剑
  • 1篇唐骏

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇能源工程
  • 1篇中国建设动态...

年份

  • 3篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响被引量：32
2007年
应用微波光电导衰减仪（μ-PCD）测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示：距离硅锭底部4～5cm以及顶部约2cm的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域的少子寿命值较高且分布均匀。通过将样品在200℃下热处理10min，根据处理前后少子寿命值的变化，获得了间隙铁浓度沿硅锭方向的一维线性分布曲线。从曲线中可以发现铁在硅锭两端浓度较高，这与硅锭冷却过程中铁从坩埚向硅锭底部发生的固相扩散以及铁的分凝特性有关。另外通过傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）测试发现间隙氧浓度在硅锭底部较高，呈现从硅锭底部向顶部逐渐降低的趋势。研究结果表明硅锭中存在的高浓度的氧、铁等杂质为影响其少子寿命值的关键因素。
邓海杨德仁唐骏席珍强阙端麟
关键词：少子寿命氧
铸造多晶硅中的原生杂质被引量：3
2007年
本文主要采用傅立叶红外仪、微波光电导少数载流子寿命仪研究了铸造多晶硅中的原生杂质的性质及分布规律。研究发现,铸造多晶硅中氧的浓度从底部到顶部逐渐降低。铸造多晶硅中碳的浓度分布总的趋势是从底部到顶部逐渐升高。而铸造多晶硅中铁的浓度分布则是底部和顶部浓度高,中间很低,这表明晶体底部高浓度的铁主要是由于铁的分凝所致,而这些铁主要来自于晶体凝固过程中坩埚的沾污。
唐骏席珍强邓海杨德仁
关键词：氧碳铁
铸造多晶硅硅片的磷吸杂研究被引量：3
2007年
主要研究了铸造多晶硅晶锭不同位置的硅片在磷吸杂前后电学性能的变化。结果发现,经过870℃磷吸杂40 min后不同位置处硅片的少数载流子寿命都有显著的提高,其中来自硅锭底部硅片的少数载流子寿命的提高程度明显低于来自顶部样品寿命的提高幅度。由于氧的分凝效应,在铸造多晶硅底部材料中含有较高浓度的间隙氧。结果表明,多晶硅磷吸杂的效果不仅与材料中过渡族金属的分布以及形态有关,而且还可能与硅中氧的浓度有关。
唐骏黄笑容席珍强杜平凡姚剑徐敏
关键词：多晶硅少子寿命
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