教育部“春晖计划”(Z2009-1-01050)
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 相关作者：贾桂霄杨吉春潘飞章永凡张勇更多>>
- 相关机构：福州大学内蒙古科技大学更多>>
- 发文基金：教育部“春晖计划”内蒙古自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 金属掺杂的CeO_2体系电子结构和氧离子迁移能的DFT+U研究被引量：7
- 2013年
- 使用DFT和DFT+U方法研究了Ca,Ba,Sm与Zr在CeO2体系中的掺杂能及其掺杂对缺陷形成能和氧离子迁移能的影响规律.计算结果表明,对未含有氧离子空位的掺杂体系,掺杂能随着掺杂离子半径的增大而增大;对含有氧离子空位的掺杂体系,掺杂能受到掺杂离子半径和价态的影响;对各种掺杂体系电子结构的研究发现,在还原CeO2,Zr和Sm掺杂的CeO2体系中,由于氧空位捕获电子使Fermi能级升高;在碱土金属掺杂的CeO2体系中,由于Ca2+和Ba2+取代高价态Ce4+而产生的负电荷恰恰与氧离子空位产生的正电荷中和,因此Fermi能级几乎没有移动;还原CeO2和Zr掺杂的CeO2体系均含有Ce3+,其新态位于Ce4f和O2p之间,这将导致CeO2体系具有离子和电子导电特性;Ca,Ba和Sm的掺杂均抑制了CeO2体系中Ce4+的变价.使用NEB方法对氧离子迁移能进行了研究,且结果表明,氧离子到空位的迁移路径几乎沿一条直线进行;当掺杂Ca,Ba,Sm与Zr时,氧离子迁移能均小于纯CeO2体系的;在这些掺杂体系中,Ba掺杂的体系氧离子迁移能最小,掺杂能较大,这可能导致在实验中常通过加入第三类掺杂物来引入Ba.
- 贾桂霄郝文兴潘飞杨吉春章永凡
- 关键词：二氧化铈
- 钙钛矿型氧化物Ba0.5-xSr0.5SmxCO0.75Fe0.25O3-δ和Ba0.5Sr(0.5-x)SmxCo0.75Fe0.25O3-δ电子结构及空位形成能的第一性原理研究
- 本文采用第一性原理对BaSrSmCoFeO和BaSrSmCoFeO体系的电子结构和空位形成能进行了研究。计算结果表明,空位形成能随着空位数的增多而增大,Sm的掺杂有利于氧空位的形成。CVF型比CVC型氧空位形成能大,源于...
- 贾桂霄张勇周芬李晓光张永和李俊篯
- 关键词：BSCF电子结构
- 文献传递
- Sm_2O_3对Ba_(0.5)Sr_(0.5)Co_(0.75)Fe_(0.25)O_(3-δ)体系电子结构及氧空位影响的理论研究被引量：2
- 2012年
- 采用第一性原理对掺杂Sm2O3的Ba0.5Sr0.5Co0.75Fe0.25O3-δ体系的电子结构和空位形成能进行了研究。研究结果表明,Co和Sm的态密度在费米能级附近有较大的态,而Fe则很小,这使得Co和Sm离子易于变价,而Fe离子的化合价则基本保持不变。空位形成能随空位数的增多而增大,Sm的掺杂有利于氧空位的形成,且CoVFe比CoVCo型氧空位形成能稍大,这些源于体系的电子结构和局域几何结构。
- 贾桂霄张勇周芬李晓光张永和李俊篯
- 关键词：BSCF电子结构
