天津市自然科学基金(06YFJMJC01100)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 极化子、双极化子中的再激发研究
- 2009年
- 利用准一维紧束缚近似,理论上研究了极化子和双极化子中的再激发,分析了再激发态的物理性质。极化子激发后可能形成局域性更强的扭结、双极化子、激子态。双极化子激发后能够形成极化子、双极化子、双激子态。从中可以发现,有机聚合物中的载流子(极化子、双极化子)能够相互转换。电荷—自旋关系在光激发下能够发生变化。
- 张大成申艳艳王卓袁兵刘昌龙
- 关键词：极化子双极化子
- 40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究被引量：3
- 2007年
- 室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性。结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来。He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放。此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680nm和930nm的两个光致发光带。该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关。
- 刘昌龙王卓尹立军吕依颖张晓东
- 关键词：空腔光致发光
- 孤子中的再激发研究被引量：1
- 2009年
- 本文在准一维紧束缚近似下,研究了孤子中的再激发.得到S^0+hv(?)S~±+P^(?),S^0+hv(?)S^0+S^0+S^0,S^0+hv=K^(+(1/4))+K^(-(1/2)+K^(+(1/4)),S~±+hv(?)S^0+P~±,S^-+hv(?)K^0+K^(-1/2)+K^(-1/2).其中S^0,S~±和P~±分别代表中性孤子、带电孤子和带电极化子,K表示链中出现的扭结.
- 张大成申艳艳王卓刘昌龙
- 关键词：孤子
