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中央高校基本科研业务费专项资金(CHD2009JC110)

作品数：1 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇多输出
  • 1篇抑制比

机构

  • 1篇兰州理工大学
  • 1篇长安大学

作者

  • 1篇肖剑
  • 1篇任国栋

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种多输出的快速高电源抑制比带隙基准被引量：1
2010年
设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比的电流源提供,并且设计了启动电路。基于CSMC 0.5μm工艺对电路进行了优化,仿真表明在全温度范围内基准电压变化2.72 mV,低频电源抑制比高于-100 dB,输出建立时间10μs;对降压型DC-DC电源芯片的直流和交流测试表明,基准工作稳定可靠。
肖剑任国栋
关键词：带隙基准多输出电源抑制比
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共1页<1>
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