国家自然科学基金(50071056)
- 作品数：11 被引量：41H指数：5
- 相关作者：刘艳辉黄伟张秀娟侯玲文良起更多>>
- 相关机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程动力工程及工程热物理理学更多>>
- 硫化时间对电沉积制备FeS_2薄膜组织与结构的影响被引量：6
- 2005年
- 利用电沉积及热硫化法制备了FeS2多晶薄膜,研究了不同硫化时间对FeS2薄膜形成过程的影响.结果表明采用Na2S2O3和FeSO4水溶液电沉积和150～200℃处理可以制备多孔Fe3O4薄膜,再经400℃、80kPa硫化处理,Fe3O4可转变成FeS2多晶薄膜.随硫化时间延长到10h,FeS2的晶格常数减小而晶粒粗化,再继续延长硫化时间,FeS2的晶格常数增大而晶粒尺寸下降.可以用点缺陷浓度、相变应力及亚晶界运动等因素分析Fe3O4向FeS2转变过程中的微观组织参数变化规律.
- 文良起刘艳辉侯玲孟亮
- 关键词：电沉积硫化
- Fe膜硫化合成FeS_2薄膜的光电性能被引量：8
- 2002年
- 研究了纯Fe膜在 2 0 0～ 6 0 0℃硫化 10h及 5 0 0℃硫化 1～ 10h条件下形成FeS2 薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律。纯Fe膜虽在 2 0 0℃即有硫化反应发生 ,但只有在 30 0℃以上硫化时 ,薄膜才会出现明显的禁带宽度 ,并随硫化温度升高 ,禁带宽度下降。硫化时间对薄膜禁带宽度影响不明显。随硫化温度升高及硫化时间延长 ,薄膜电阻率上升。由于硫化参数的变化能够引起薄膜相结构、晶体缺陷及薄膜完整性的变化 ,因此可以导致薄膜光电性能的变化。
- 孟亮黄伟刘艳辉
- 关键词：FES2薄膜硫化光吸收电阻率
- 厚度对FeS_2薄膜的光电性能的影响被引量：9
- 2002年
- 采用Fe膜硫化工艺制备不同厚度的FeS2 薄膜。研究了不同厚度FeS2 薄膜的晶体结构、电阻率、载流子浓度、光吸收系数以及禁带宽度 (Eg)。结果表明 ,随着薄膜厚度的增加 ,FeS2 的电阻率升高 ,载流子浓度下降 ,在高吸收区FeS2 薄膜的光吸收系数也呈下降趋势。当薄膜厚度小于 130nm时 ,薄膜厚度增加可导致其禁带宽度上升 ,当薄膜厚度大于 130nm时 ,薄膜厚度增大反而会导致禁带宽度下降。
- 黄伟刘艳辉孟亮
- 关键词：厚度FES2薄膜立方晶系二硫化铁太阳能材料
- CO气体分子在金属氧化物SrO(001)表面吸附和脱附机理被引量：5
- 2004年
- 研究了高纯度金属氧化物SrO粉末表面吸附C18O后在程序升温热脱附过程中的脱附反应规律 ,讨论了CO气体分子在SrO( 10 0 )表面吸附和脱附之间的关系及机理 .SrO吸附C18O后 ,在升温过程中可通过氧的同位素交换生成C16O而脱附 ,同时伴随少量C18O的直接脱附 ,并与C16O具有相近的脱附活化能 .C16O的脱附量随C18O气体暴露量增加而增加 ,但当气体覆盖度超过一定值后 ,脱附量趋于定值 .脱附峰值温度随气体暴露量的增加而下降 .
- 汪洋孟亮
- 关键词：一氧化碳气体分子金属氧化物氧化锶活化能
- 纯铁等温硫化形成FeS_(2)薄膜的转变过程被引量：1
- 2000年
- 研究了 4 0 0℃等温硫化条件下纯 Fe膜反应形成 Fe S2 薄膜的组织结构转变过程 .等温 1h时 ,Fe膜中即已发现 Fe S2 结晶 .随着等温时间的延长 ,Fe S2 晶体尺寸及数量显著增加 .当等温时间超过 10h后 ,Fe S2 结晶速率便不再明显增加 .如果对纯 Fe膜等温硫化 2 0～ 30 h,则可使其全部结晶形成接近化学计量成分的 Fe S2
- 孟亮黄伟
- 关键词：二硫化铁硫化等温处理
- FeS_2与In_2S_3复合薄膜组织结构在硫化过程中的变化
- 2006年
- 采用电沉积、氧化及热硫化方法制备了In2S3伴生的FeS2复合薄膜。通过改变400℃下的硫化时间,研究了硫化过程中复合薄膜晶体结构及组织形貌的变化。FeS2和In2S3分别由先驱膜中的Fe3O4和衬底膜中的In2O3硫化演变而来,先驱膜的多孔形态可提供In2S3与FeS2共生的几何条件。硫化过程中In2S3比FeS2有更高的结晶速率。随着硫化时间的延长,FeS2及In2S3数量增加,晶粒尺寸增大,FeS2的晶格常数减小。
- 刘艳辉侯玲孟亮
- 硫化压力对电沉积并硫化合成的FeS_2薄膜组织结构的影响被引量：2
- 2005年
- 采用电沉积及400℃不同压力硫化热处理制备了多晶FeS2薄膜,研究了硫化压力对薄膜晶体结构及微观组织的影响.在较低的硫化压力条件下,电沉积得到的Fe3O4先驱体硫化反应不充分,薄膜组织中FeS2与Fe3O4共存.当硫化压力高于20kPa时,Fe3O4先驱体可充分地转变成具有细小晶粒形态的FeS2,薄膜形貌也由多孔疏松演变为均匀平整.硫化压力在5～40kPa范围内变化对FeS2晶粒尺寸影响不明显,但使FeS2晶格常数略有下降.
- 侯玲刘艳辉孟亮
- 多晶体薄膜生长中的织构诱导与控制被引量：3
- 2002年
- 综述了多晶体薄膜材料织构的诱导和控制方法、影响薄膜结晶过程中晶体取向的因素及不同生长条件下形成晶体择优取向的原因。讨论了目前多晶体薄膜织构控制研究中存在的问题和发展方向。
- 刘艳辉张秀娟孟亮
- 关键词：薄膜生长织构晶体生长
- 硫化过程中FeS_2薄膜组织结构和电学性能的变化被引量：2
- 2004年
- 采用Fe膜热硫化法在673K和773K温度下形成了FeS2多晶薄膜.分析了不同硫化时间对晶体结构、化学成分、晶粒大小、电阻率和载流子浓度的影响.673K下硫化超过20h及773K温度下硫化超过1h,Fe膜生成FeS2比较充分.随硫化时间延长,673K下硫化的薄膜晶粒直径基本保持在50nm左右,但电阻率增大,载流子浓度下降.773K下硫化的薄膜晶粒尺寸及电阻率均随硫化时间延长而明显增大,但载流子浓度变化不明显,通常低于1×1025m-3的水平.
- 张秀娟孟亮刘艳辉
- 关键词：电阻率载流子浓度
- FeS_2薄膜光电性能研究进展被引量：15
- 2001年
- 对FeS2 薄膜光电性能的研究现状进行了分析 ,综述了制备方法、硫化工艺及掺杂元素对FeS2 薄膜光电性能的影响以及光电转换效率的研究进展 ,讨论了FeS2 薄膜这种先进太阳能电池材料研究中现存的问题和发展方向。
- 黄伟孟亮
- 关键词：FES2薄膜光电性能二硫化铁太阳能电池
