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国防基金(A1120060490)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：胡伟阚玲刘勇杨谟华谭开洲更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所电子科技大学中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇埋层

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇徐世六
  • 1篇江军
  • 1篇谭开洲
  • 1篇杨谟华
  • 1篇刘勇
  • 1篇阚玲
  • 1篇胡伟

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
具有埋层的大功率集成器件二维简化模型分析
2008年
对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。在假定条件成立时,推导出器件二维模型导通电阻自限制公式,得出了具有埋层结构的集成大功率器件结构其比导通电阻是随着面积不断增大的结论。通过实验,证实了该结论预测趋势的正确性。该结论对类似集成化大功率器件结构设计具有一定的指导作用。
谭开洲胡伟江军刘勇阚玲杨谟华徐世六
关键词：导通电阻
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共1页<1>
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