国家自然科学基金(60221502)
- 作品数：31 被引量：92H指数：5
- 相关作者：褚君浩郭少令周文政商丽燕桂永胜更多>>
- 相关机构：中国科学院兰州大学华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- In0．53 Ga0．47As／In0．52Al0．48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
- 2008年
- 研究了不同沟道厚度的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.
- 商丽燕林铁周文政黄志明李东临高宏玲崔利杰曾一平郭少令褚君浩
- 关键词：二维电子气
- PbZr_xTi_(1-x)O_3多层膜中与极性缺陷复合体相关的介电驰豫(英文)
- 2009年
- 研究了由致密PbZr0.38Ti0.62O3和多孔PbZr0.38Ti0.62O3膜层交替排列组成的多层膜在温度为420K时的介电行为.在102～106Hz的频率范围,观测到两种截然不同的介电驰豫.位于低频区的介电损耗峰归因于空间电荷极化.通过俄歇电子谱和电子顺磁共振谱分析,初步判定遵从Arrhenius律、热激活能为0.49eV的高频介电驰豫则起源于氧空位V¨0和Ti3+形成的极性缺陷复合体V¨0-Ti3+对交变电场的响应.
- 胡古今张婷孙璟兰朱大明褚君浩戴宁
- 碲镉汞富碲垂直液相外延技术被引量：3
- 2009年
- 研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.
- 杨建荣张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰陈新强
- 关键词：半导体技术液相外延
- 亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究被引量：3
- 2006年
- 采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和D IBL效应以及沟道跨道,获得了最佳硅鳍宽度(Tfin)和栅极长度(Lg)参数.模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较,表明由于电子束缚效应对器件性能的影响,考虑量子效应对F inFET器件的性能优化尤其重要.
- 胡伟达陈效双全知觉周旭昌陆卫
- 关键词：量子力学计算短沟道效应量子效应
- 锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性研究
- ＜正＞基于相分离原理,通过重复甩胶镀膜—热处理工艺,在导电氧化物镍酸镧涂布的硅衬底上制备了厚度为2 μm,由致密层和多孔层交替排列形成的周期性锆钛酸铅（PZT）铁电多层膜,并对多层膜的铁电和介电特性进行了研究。同生长在相...
- 胡古今商景林洪学鹍褚君浩戴宁
- 关键词：锆钛酸铅多层膜介电特性
- 文献传递
- Hg_(1-x)Cd_xTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究被引量：5
- 2005年
- 高分辨率x射线衍射技术被应用于Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数的测量及其晶格应变状态的研究,研究发现Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜内既存在正应变也存在剪切应变.通过应用晶体弹性理论,对Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜的应变状态进行了定量的分析与计算,获得了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜在完全弛豫状态下的晶格参数,从而得到了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分的关系,该关系符合Vegard’s定律,而不是早期研究所给出的Higgins公式.研究还发现,根据对称衍射测量所得到的(224)晶面间距,可直接计算出Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数,并用Vegard’s定律确定组分的方法,可作为估算Hg1-xCdxTe分子束外延材料组分的常规技术,其组分的测量误差在0·01左右.
- 王庆学杨建荣孙涛魏彦锋方维政何力
- 关键词：HG1-XCDXTEX射线衍射技术分子束外延弛豫
- LB法制备的P(VDF-TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究(英文)被引量：1
- 2010年
- 运用郎缪尔-布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯（P（VDF-TrFE））共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为（110）.运用波长范围为300-1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行了表征;运用Cauchy模型对不同角度（θ=75°和85°）测得的Ψ和Δ数据进行了拟合.获得了P（VDF-TrFE）薄膜的光学参数n,k,α以及薄膜的厚度.另外对薄膜的铁电性质的测量,其剩余极化达到了6.3μC/cm^2,矫顽电场为100MV/cm.介电测量得到了薄膜两个明显的相变,铁电-介电相变以及β弛豫.
- 王建禄孟祥建高艳卿黄志明沈宏孙璟兰褚君浩
- 关键词：LB技术椭圆偏振光谱电学特性
- 化学溶液法制备的Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)Nd_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的光学特性被引量：3
- 2005年
- 采用化学溶液方法在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3·25La0·75Ti3O12(BLT)和Bi3·25Nd0·75Ti3O12(BNT)薄膜.x射线衍射测试表明,两种薄膜都为单一的层状钙钛矿结构.扫描电子显微镜分析显示,BNT薄膜由大而均匀的棒状晶粒组成,BLT薄膜的组成晶粒则较小.采用紫外-近红外椭圆偏振光谱仪测试了200—1700nm波长范围的椭圆偏振光谱,拟合得到薄膜的光学常数(折射率和消光系数)和厚度,确定BLT和BNT薄膜的禁带宽度分别为4·30和3·61eV,并采用单电子振子模型分析了薄膜在带间跃迁区的折射率色散关系.
- 马建华孟祥建孙璟兰胡志高褚君浩
- 关键词：化学溶液法光学特性带间跃迁
- 化学溶液法制备的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3薄膜的光学性能被引量：2
- 2006年
- 用化学溶液方法在宝石衬底及有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了92%Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3(PMNT)薄膜,X射线衍射测试结果表明:在有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备的PMNT薄膜几乎是纯钙钛矿相,且薄膜呈现(110)择优取向.通过对Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上的PMNT薄膜在2·5—12·6μm波长范围内的红外椭圆偏振光谱测试,并拟合得到了PMNT薄膜在2·5—12·6μm波长范围内的光学常数(n和k),通过对宝石衬底上的PMNT薄膜在200—1100nm波长范围内的可见-紫外透过率测试,并拟合得到了PMNT薄膜在200—1100nm波段的光学常数(n和k)和吸收系数α,进而推导出PMNT薄膜的禁带宽度为4·03eV.
- 刘爱云孟祥建薛建强孙璟兰马建华汪琳褚君浩
- 关键词：光学性能化学溶液法
- 聚合物含量对钛酸锶钡多层膜光学性能的影响
- 钛酸锶钡（BST）是一种对环境友善的无铅型铁电氧化物。由于具有电光、声光效应以及在可见与红外光谱区高度透明和折射率随组分变化的优点,BST是制作新一代特性参数动态可调无源光子器件的理想材料。近年来由于铁电光子晶体制备技术...
- 商景林胡古今张婷谢婧褚君浩戴宁
- 关键词：铁电材料光子晶体反射谱
- 文献传递
