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Carrier Transport Across Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors被引量：1: 2016年; We established a model for investigating polycrystalline silicon(poly-Si) thin film transistors(TFTs).The effect of grain boundaries(GBs) on the transfer characteristics of TFT was analyzed by considering the number and the width of grain boundaries in the channel region,and the dominant transport mechanism of carrier across grain boundaries was subsequently determined.It is shown that the thermionic emission(TE) is dominant in the subthreshold operating region of TFT regardless of the number and the width of grain boundary.To a poly-Si TFT model with a 1 nm-width grain boundary,in the linear region,thermionic emission is similar to that of tunneling(TU),however,with increasing grain boundary width and number,tunneling becomes dominant.; 陈勇ZHANG Shuang李璋HUANG HanhuaWANG WenfengZHOU ChaoCAO Wanqiang周郁明; 关键词：薄膜晶体管多晶硅载流子输运热电子发射 TFT

SiO_2/SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响被引量：1: 2017年; 位于SiO_2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业化的半导体器件仿真软件中迁移率模型是基于Si器件开发,不能体现SiO_2/SiC界面处的陷阱对沟道中载流子的散射作用。通过引入能正确反映界面陷阱对载流子作用的迁移率模型,利用半导体器件仿真软件研究了界面陷阱对SiC MOSFET动态特性的影响。结果表明,随着界面陷阱密度的增加,SiC MOSFET开通过程变慢,开通损耗增加,而关断过程加快,关断损耗减小;但是由于沟道载流子数量的减少、导通电阻的增加,总损耗是随着界面陷阱密度的增加而增加。; 刘航志周郁明袁晨陈涛; 关键词：迁移率损耗

改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型: 2016年; 在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅(SiC)MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范围内阈值电压的变化率和跨导系数,在LTspice电路仿真软件中模拟了SiC MOSFETs在25℃和125℃下的转移特性。与现有的模型相比,仿真结果与实测数据的吻合度得到了进一步的提高。; 李勇杰陈伟伟周郁明; 关键词：SIC MOSFET SPICE模型

一种供暖系统地下管道渗漏的检测技术: 2018年; 针对供暖系统地下管道渗漏的情况,依据傅里叶热传导方程,建立了渗漏点三维热传导模型,给出模型的数据和仿真。依据仿真结果,提出了"圆心逼近"的算法,设计了一种以WZP-PT100高精度铂热电阻作为温度检测传感器,通过STC89C52RC单片机把检测的数据及时处理,并在数码管显示器实时显示出来。模拟热源、温度场的实验结果显示,这种方法可准确地查找到渗漏处。; 孟杰何山红冯德仁; 关键词：供暖系统热电阻单片机温度场渗漏

基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET Spice模型研究被引量：2: 2017年; 提出了一种基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET的Spice模型,该模型是基于MOSFET的Spice一级(Level-1)模型方程,将方程中的常数迁移率用更能准确反映4H-SiC/SiO2界面特性的迁移率模型来代替.产品数据手册验证了该模型静态特性的准确性,DC/DC Boost变换器实验也验证了该模型动态特性的准确性.利用该模型讨论了4H-SiC/SiO2的界面态密度和表面粗糙度对4H-SiC MOSFET开关特性的影响.结果表明,随着界面态密度的增加,4H-SiC MOSFET的开通延迟时间随之增加,而关断提前的时间也增加,同时器件的开关损耗也增加,但是表面粗糙度对开关特性的影响非常小.所取得的结果对4H-SiC MOSFET的应用和器件工艺都有一定的指导作用.; 周郁明李勇杰鲍观甲刘航志; 关键词：4H-SIC MOSFET SPICE模型迁移率开关损耗

钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究被引量：1: 2012年; 利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅(SiC)光导开关(PCSS)在电容放电电路中的瞬态特性。在非故意掺杂氮浓度为1 1014cm 3、硼浓度为1 1011cm 3和电容初始电压为1000 V的条件下,当钒浓度为1 1012cm 3时,电路在初始阶段有一个完整的振荡脉冲电流,随后存在较大的泄露电流,当光导开关受到波长为532 nm、功率为2400 W/cm2激光的激发时,电容放电形成幅值约为88 A的陡峭脉冲电流,激光结束后电路还有较大的拖尾电流。随着钒浓度增加到1 1014cm 3,初始阶段的振荡电流消失,漏电流和拖尾电流均减小,受到激光激发时所形成的脉冲电流幅值约为8 A,而钒浓度增加到1 1017cm 3时,幅值减小到2.5A。; 周郁明靳爱津冯德仁; 关键词：能级光导开关

不同温度下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs迁移率的影响(英文)被引量：1: 2014年; 在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4H-SiC MOSFETs取得好的电特性。基于前期4H-SiC MOS电容的实验结果,采用计算机模拟研究了不同温度条件下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs沟道迁移率的影响。结果表明,在较高的栅压下,限制沟道迁移率的主要机制是表面粗糙度散射,然而,表面粗糙度数值的大小对迁移率的影响不大。结果同时表明,迁移率的峰值会随着温度的增加而增加,然而,对于更高的温度,峰值会随着温度的继续增加而减小。; 周郁明陈伟伟; 关键词：表面粗糙度温度依赖场效应迁移率

氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析（英文）: 2016年; 氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁移率来自于界面态密度的减小;随着反掺杂浓度的增加,反掺杂在氮离子注入提高沟道迁移率的贡献越来越多,同时,在这种情况下,限制沟道迁移率的机制是表面粗糙度散射。; 周郁明李勇杰; 关键词：场效应迁移率界面态密度氮离子注入

基于全SiC器件的交错并联Boost PFC电路: 2017年; 与传统的硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件具有击穿电场强度高、导热率高、开关频率高、通态电阻低等优点。将SiC功率器件引入交错并联Boost功率因数校正(PFC)电路,分析了临界导通模式(BCM)下电路的工作特性,给出了主电路元器件的设计方法及设计过程,搭建了以UCC28061为控制芯片的实验电路与测试平台。测试结果表明,在达到PFC的目的、降低电流纹波的同时,在数百千赫兹工作频率下,SiC MOSFET比Si MOSFET具有更低的结温,对提升系统的工作效率、降低损耗及装置的体积,具有积极的意义。; 周郁明杨婷婷鲍观甲刘航志; 关键词：功率器件碳化硅功率因数校正

外延层厚度对垂直结构6H-SiC光导开关特性影响的研究(英文): 2013年; 设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关。首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p+离子注入层,然后利用外延工艺在其中的一侧生长一层n+外延层,并将此侧定义为开关的阴极。利用二维半导体器件仿真软件,研究了n+外延层厚度对6H-SiC光导开关特性的影响。结果表明,增加外延层厚度可以提高开关的击穿电压;而开关的导通电流,首先随着n+外延层厚度的增加而减小,在n+外延层厚度为5μm达到最小值,随后随着厚度的增加,导通电流增加。; 周郁明姜浩楠; 关键词：半绝缘光导开关击穿电压

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