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国际科技合作与交流专项项目(2011DFA62380): 作品数：19 被引量：49H指数：3; 相关作者：郝瑞亭李明刘颖郭杰刘思佳更多>>; 相关机构：云南师范大学华北电力大学河南师范大学更多>>; 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理理学一般工业技术更多>>

多周期分层溅射硫化物靶制备铜锌锡硫薄膜太阳电池: 2018年; 按照ZnS/CuS/SnS/CuS的顺序分层溅射硫化锌、硫化铜和硫化亚锡三个二元硫化物靶,制备铜锌锡硫(CZTS)的预制层。在预制层总厚度不变的情况下按照上述顺序将预制层分多个周期溅射,然后在360℃对含硫预制层进行低温退火,再在硫气氛中进行高温(600℃)硫化处理,制备出CZTS薄膜。周期数为3的CZTS薄膜表面平整致密、晶粒大小均匀,禁带宽度为1.50eV。用这种薄膜制备的CZTS薄膜太阳电池性能最好,其开路电压(Voc)为623mV,短路电流密度(Jsc)为11.79mA/cm^2,光电转换效率达到2.93%。; 王强郝瑞亭赵其琛刘思佳; 关键词：材料合成与加工工艺高温硫化

退火对Ge诱导晶化多晶Si薄膜结晶特性的影响: 2012年; 本文采用磁控溅射法,衬底温度500℃下在硅衬底上分别制备具有Ge填埋层的a-Si/Ge薄膜和a-Si薄膜,并进行后续退火,采用Raman光谱、X射线衍射、原子力显微镜及场发射扫描电镜等对所制薄膜样品进行结构表征.结果表明,Ge有诱导非晶硅晶化的作用,并得出以下重要结论:衬底温度为500℃时生长的a-Si/Ge薄膜,经600℃退火5 h Ge诱导非晶硅薄膜的晶化率为44%,在相同的退火时间下退火温度提高到700℃,晶化率达54%.相同条件下,无Ge填埋层的a-Si薄膜经800℃退火5 h薄膜实现晶化,晶化率为46%.通过Ge填埋层诱导晶化可使在相同的条件下生长的非晶硅晶薄膜的晶化温度降低约200℃.Ge诱导晶化多晶Si薄膜在Si(200)方向具有高度择优取向,且在此方向对应的晶粒尺寸约为76 nm.通过Ge诱导晶化制备多晶Si薄膜有望成为制备高质量多晶Si薄膜的一条有效途径.; 康昆勇邓书康申兰先孙启利郝瑞亭化麒麟唐润生杨培志李明; 关键词：多晶硅薄膜非晶硅

电致发光(EL)在光伏电池组件缺陷检测中的应用被引量：17: 2016年; 光伏电池组件缺陷检测是太阳电池生产过程中的重要环节,采用电致发光(EL)测试技术,探索外加偏压对光伏电池组件发光强弱的影响规律,确认了EL测试技术在光伏电池组件缺陷检测中的有效性.并通过EL测试技术发现了电池组件的黑心、黑斑、隐裂、断栅等缺陷.最后结合光伏组件V-I特性曲线,确定了缺陷的存在.; 施光辉崔亚楠刘小娇涂晔钱福丽廖华胡志华; 关键词：光伏组件电致发光 V-I特性

铜锌锡硫薄膜太阳电池及其研究进展被引量：7: 2014年; 近些年,人们越来越关注太阳辐射的光伏利用。光伏发电技术在迅猛发展,薄膜太阳电池从占有主导地位的硅晶片技术中抢占了一定的市场份额。其中铜锌锡硫薄膜太阳电池因具有低成本、高的光电转化效率和吸收系数、合适的禁带宽度和环境友好等优点成为近年来薄膜太阳电池研究的热点。本文阐述了铜锌锡硫薄膜太阳电池的器件结构和性能特点,介绍了铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法和研究进展,并对今后主要的发展方向进行了展望。; 缪彦美刘颖郝瑞亭邓书康郭杰刘焕林; 关键词：薄膜太阳电池光伏

化学浴沉积法制备ZnS薄膜的结构及可见-近红外光谱特性研究被引量：2: 2015年; 采用化学水浴法,以Zn SO4、柠檬酸钠、NH3·H2O、SC(NH2)2为反应物,在玻璃衬底上制备了Zn S薄膜,采用XRD、SEM、分光光度计、台阶仪等手段研究了水浴温度、沉积时间、p H值等条件对Zn S薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能的影响。结果表明,Zn S薄膜经退火后出现明显特征衍射峰,为闪锌矿结构,可见光范围内平均透过率均大于80%。经过工艺优化,在水浴温度为80℃、沉积时间为1 h、p H=10条件下沉积的Zn S薄膜表面均匀致密,可见光范围内平均透过率为89.6%,光学带隙为3.82 e V,适合做铜铟镓硒和铜锌锡硫薄膜太阳电池的缓冲层。; 刘颖缪彦美郝瑞亭郭杰杨海刚; 关键词：ZNS薄膜缓冲层透过率

Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究被引量：1: 2015年; 采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5 h。采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究。结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著。具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5 h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm。将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm。与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃。; 邓书康董国俊杨晓坤刘虹霞侯德东李明; 关键词：多晶硅薄膜电子束蒸发非晶硅

磁控溅射法制备大晶粒铜锌锡硫薄膜的研究: 2017年; 采用磁控溅射Cu、Sn、Zn金属单质靶制备铜锌锡(CZT)金属预制层,在220℃下合金,然后在高温610℃硫化配合低速升温工艺对CZT前驱体进行退火,制备出晶粒尺寸为1~2μm的Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)对薄膜样品进行结构、表面形貌和组分表征.最后沉积缓冲层、ZnO窗口层,蒸镀Al电极,制备出CZTS薄膜太阳电池,测量得到电池开路电压(V_(oc))为574 mV,短路电流密度(J_(sc))为8.98 mA/cm^2,填充因子(FF)为37.8%,电池转换效率为1.95%.; 刘思佳郝瑞亭赵其琛杨敏陆熠磊王书荣; 关键词：太阳电池磁控溅射硫化

PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究被引量：1: 2016年; 系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77K下峰值探测率分别为8.5×101 2cmHz1/2/W和2.4×108cmHz1/2/W.最后制备完成了50%截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.; 任洋郝瑞亭刘思佳王国伟徐应强牛智川; 关键词：分子束外延 INASSB 中波红外探测器

无硫化过程磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜及其结构和光学性质研究: 2014年; 使用Cu2ZnSnS4(CZTS)靶材,通过射频磁控溅射方法镀膜,不经后期硫化处理,在钠钙玻璃衬底上沉积了锌黄锡矿结构的CZTS薄膜材料。在薄膜的沉积过程中,衬底温度分别为300,400和500℃。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、能量色散X射线光谱仪和紫外-可见-近红外分光光度计等对薄膜样品的微观形貌、晶体结构、元素成分、光学性质等进行了研究。分析讨论了衬底温度对样品的表面形貌、晶体结构、化学成分、光吸收系数和禁带宽度的影响关系。结果表明,在衬底温度为500℃条件下沉积得到的CZTS薄膜样品,具有较好的锌黄锡矿晶体结构,晶粒大小为23 nm,光吸收系数在可见光范围内高于1×104cm-1,禁带宽度为1.49 eV。; 杨海刚张基东郝瑞亭曹伟伟李美成常方高; 关键词：禁带宽度磁控溅射衬底温度

退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响被引量：3: 2017年; 利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,当退火温度为400℃时,CZTS薄膜中含有Cu_2S及SnS等多种二次相;随着退火温度的升高,二次相的种类逐渐减少,当退火温度为550℃时,薄膜的表面平整致密,二次相种类最少;然而,当退火温度为600℃时,薄膜表面变得粗糙,二次相种类增多。; 赵其琛郝瑞亭刘思佳杨敏陆熠磊刘欣星常发冉; 关键词：激光技术磁控溅射退火

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