云南省教育厅科学研究基金(09Y0091)
- 作品数：5 被引量：17H指数：4
- 相关作者：郭中正孙勇周铖彭明军殷国祥更多>>
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- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 磁控溅射沉积Cu-Nb薄膜的特征及热退火的影响被引量：5
- 2011年
- 用磁控共溅射法制备含铌1.16%～27.04%(原子分数)的Cu-Nb合金薄膜,运用EDX,XRD,SEM,TEM,显微硬度仪和电阻仪对沉积态和热退火态薄膜的成分、结构和性能进行了研究。结果表明,Nb添加显著影响Cu-Nb合金薄膜微结构,使Cu-Nb薄膜晶粒细化,含铌1.82%～15.75%的Cu-Nb膜呈纳米晶结构,存在Nb在Cu中的fcc Cu(Nb)非平衡亚稳过饱和固溶体,固溶度随薄膜Nb浓度增加而上升,最大值为8.33%Nb。随Nb含量增加,薄膜中微晶体尺寸减小,Cu-27.04%Nb膜微结构演变至非晶态。与纯Cu膜对比表明,Nb添加显著提高沉积态Cu-Nb薄膜显微硬度和电阻率,总体上二者随膜Nb含量上升而增高。Nb含量高于4.05%时显微硬度增幅趋缓,非晶Cu-Nb膜硬度低于晶态膜,电阻率则随铌含量上升而持续增加。经200,400及650℃退火1h后,Cu-Nb膜显微硬度降低、电阻率下降,降幅与退火温度呈正相关。XRD和SEM显示,650℃退火后晶态Cu-Nb膜基体相发生晶粒长大,并出现亚微米级富Cu第二相,非晶Cu-27.04%Nb膜则观察到晶化转变和随后的晶粒生长。Nb添加引起晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度增大是Cu-Nb薄膜微观结构和性能形成及演变的主要原因。
- 郭中正孙勇段永华周铖彭明军
- 关键词：纳米晶结构热退火显微硬度
- 溅射沉积Cu-Mo薄膜的结构和性能被引量：6
- 2011年
- 用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%（摩尔分数）的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪（EDX）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明：Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Mo膜呈纳米晶结构,存在Mo在Cu中的FCC Cu（Mo）非平衡亚稳过饱和固溶体;随Mo含量的增加,Mo固溶度逐渐增加,而薄膜微晶体尺寸则逐渐减小,Mo的最大固溶度为30.6%。与纯Cu膜对比表明,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率随Mo含量的上升而持续增加。经200、400和650℃热处理1 h后,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率均降低,降幅与热处理温度呈正相关;经650℃退火后,Cu-Mo膜基体相晶粒长大,并出现亚微米-微米级富Cu第二相。在Cu-Mo膜的XRD谱中观察到Mo（110）特征峰,Cu-Mo薄膜结构和性能形成及演变的主要原因是添加Mo引起的晶粒细化效应以及热处理中基体相晶粒的生长。
- 郭中正孙勇周铖沈黎殷国祥
- 关键词：纳米晶结构显微硬度电阻率
- 铝铅均质合金膜的制备与研究
- 2011年
- 利用磁控共溅射法制备Al-Pb合金薄膜.运用SEM、EDS、TEM对薄膜成分、结构进行分析,用分子动力学模拟薄膜中Al、Pb原子的聚集状态.结果发现铅含量影响着Al-Pb合金膜的结构,靶材中Pb的原子分数控制在4%范围内时,薄膜中Al和Pb在纳米级范围内可以实现均匀混合,得到均质合金膜.随着Pb含量的增加薄膜中Pb原子会出现聚集,形成不均匀结构.这与分子动力学模拟的结果相一致.
- 杨宁孙勇郭中正
- 关键词：磁控共溅射
- 钨含量对磁控溅射铜钨合金薄膜结构和性能的影响被引量：4
- 2011年
- 用磁控溅射法制备铜钨合金薄膜，采用能谱仪、X射线衍射仪、透射和扫描电镜、电阻计和显微硬度仪等对合金薄膜的成分、结构和性能进行了表征，探讨了钨原子分数的影响。结果表明：含原子分数31．8％～54．8％钨的铜钨膜呈非晶态，表面较平整；含18％和609／6钨的膜为晶态，且出现固溶度扩展，分别存在fcc Cu（W）亚稳过饱和固溶体和bccW（Cu）固溶体，铜钨膜电阻率高于纯铜膜的，非晶铜钨膜电阻率较晶态膜高1．9倍以上；铜钨膜硬度与钨含量呈正相关，非晶及晶态铜钨膜硬度分别低于和略高于Voigt公式的计算值。
- 郭中正孙勇周铖段永华彭明军
- 关键词：固溶度电阻率显微硬度
- 磁控溅射沉积Cu-W薄膜的特征及热处理的影响被引量：5
- 2011年
- 采用磁控共溅射法制备含钨1.51％～14．20％（原子分数，下同）的Cu-W合金薄膜，并用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻仪研究了其成分、结构及性能。结果表明，添加W可显著细化Cu-W薄膜基体相晶粒，晶粒尺寸随W含量的增加而减小，Cu-W薄膜呈纳米晶结构。Cu-W薄膜中存在W在Cu中形成的fcc Cu（W）非平衡亚稳过饱和目溶体，固溶度随W含量的增加而提高，最大值为10．65％。与纯Cu膜对比发现，薄膜的显微硬度和电阻率总体上随W含量的增加而显著增大。经200℃、400℃及650℃热处理1h后，Cu—W薄膜基体相晶粒长大，EDX分析显示晶界处出现富W第二相；薄膜显微硬度降低，电阻率下降，降幅与退火温度呈正相关。添加W引起的晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度增大分别是Cu—W薄膜微观结构和性能形成及演变的主要原因。
- 周铖孙勇郭中正殷国祥彭明军
- 关键词：纳米晶结构显微硬度电阻率
