国家自然科学基金(51272117)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 合成温度对Ce掺杂SiC纳米线的制备及场发射性能的影响研究被引量：3
- 2013年
- 本文利用化学气相反应(CVR)法,系统研究了不同温度对Ce掺杂的SiC纳米线及其场发射性能的影响规律.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)对所得产物进行了表征,并对其场发射性能进行了测试.结果表明:所得产物为具有立方结构的β-SiC晶体,随着温度的升高,纳米线逐渐变的弯曲,Ce的含量降低,产物的开启电场和阈值电场先升高后降低.当合成温度为1250C,Ce的含量为0.27at%,产物的场发射性能最佳,开启电场和阈值电场分别为2.5V/μm和5.2V/μm.
- 李镇江李伟东
- 关键词：合成温度SIC纳米线场发射性能
- WS2正极的制备及其在铝二次电池中的应用
- 2020年
- 以硫脲为硫源、偏钨酸铵为钨源、氯化钠为模板剂,通过低温处理和化学气相沉积制备层片状二硫化钨(WS2).研究了反应物配比、煅烧温度和保温时间对WS2电化学性能的影响,并通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱、能量色散光谱等方法对产物的物相组成和微观形貌进行表征.研究结果表明:以反应物n(W):n(S)=1:2.2、煅烧温度为800℃、保温时间为3 h的条件下得到的产物作为铝二次电池正极材料时表现出最佳的电化学性能,放电比容量达105 mAh·g-1,经过160圈循环后容量保持率仍高于90%;AlCl-4的嵌入/脱出是充放电反应的关键;W—Cl键的形成则与电池失效有关.
- 高甜朱开兴
- 关键词：WS2化学气相沉积法
- La或N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算被引量：4
- 2015年
- 采用化学气相沉积法和气相掺杂法,分别制备了La或N掺杂的Si C纳米线.利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线能量色散谱(EDS)分析和X射线衍射(XRD)等测试手段对两种产物的微观形貌、元素组成和物相结构进行了系统表征.以合成产物作为阴极,对其场发射性能进行测试,结果表明:Si C纳米线的开启电场值和阈值电场值由未掺杂的2.3、6.6 V*μm-1分别降低为1.2、5.2 V*μm-1(La掺杂)和0.9、0.4 V*μm-1(N掺杂).采用Material Studio软件中的Castep模块建立(3×3×2)晶格结构模型,对未掺杂、La或N掺杂Si C的能带结构和态密度进行计算,结果显示:La或N掺杂后,在费米能级附近产生了新的La 5d或N 2p掺杂能级,导致禁带宽度(带隙)变窄,使得价带电子更容易跨越禁带进入导带,从而改善Si C纳米线的场发射性能.
- 李镇江马凤麟张猛宋冠英孟阿兰
- 关键词：场发射性能LA掺杂N掺杂SIC纳米线第一性原理
