国家自然科学基金(61076002)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）被引量：1
- 2018年
- 采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在(101),(100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,在Si(100)衬底上可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60 W,溅射压强为0.4 Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ=633的拉曼测试表明,可以通过E_2(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A1(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07,1.13,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应、紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。
- 王雪文李婷婷苏星星吴朝科翟春雪胡峰张志勇赵武
- 关键词：晶体生长磁控溅射禁带宽度
- Mg掺杂In_xGa_(1-x)N薄膜的磁控溅射法制备和表征（英文）
- 2019年
- 采用磁控溅射法,用In_2O_3靶、Ga_2O_3靶、Mg靶在Si片上制备出In_xGa_(1-x)N薄膜和Mg掺杂的In_xGa_(1-x)N薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的In_xGa_(1-x)N薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地掺入In_xGa_(1-x)N薄膜。电学性能分析表明In_(0.84)Ga_(0.16)N和Mg掺杂的In_(0.1)Ga_(0.9)N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的In_(0.1)Ga_(0.9)N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为2.65×10^(18) cm^(-3)和3.9 cm^2/(V·s)。
- 王雪文吴朝科高海波翟春雪李振杰张志勇贺琳
- 关键词：磁控溅射法电学性能
- GaN纳米线的溶胶-凝胶法制备及表征被引量：3
- 2012年
- 采用低成本、易操作的溶胶-凝胶法制备高质量的GaN纳米线。以硝酸镓为镓源、柠檬酸为络合剂制备出前驱物溶胶,甩胶于覆有催化剂的Si(111)衬底上,在氨气气氛下制备出GaN纳米线。利用XRD、SEM、TEM、EDS等对GaN纳米线进行表征与分析,结果表明1000℃氨化温度下,制备出的纳米线结晶度好,形貌优。并研究了催化生长GaN纳米线的生长机理。
- 景钰洲王雪文杨怡赵武邓周虎
- 关键词：GAN纳米线溶胶-凝胶
