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中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(ISCAS2009T01)
作品数:
1
被引量:5
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相关作者:
王启明
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相关机构:
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2011
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Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜
被引量:5
2011年
使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.
苏少坚
汪巍
张广泽
胡炜玄
白安琪
薛春来
左玉华
成步文
王启明
关键词:
分子束外延
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