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国际科技合作与交流专项项目(303-454581)

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相关作者：公衍生沈强张联盟王传彬更多>>
相关机构：武汉理工大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇微观结构
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇基片
  • 1篇基片温度
  • 1篇硅基

机构

  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 1篇王传彬
  • 1篇张联盟
  • 1篇沈强
  • 1篇公衍生

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅基氧化铱薄膜的脉冲激光沉积及其微观结构研究
2006年
采用脉冲激光沉积技术，在Si（100）基片上制备了高致密的氧化铱（IrO2）薄膜，研究了不同沉积温度对薄膜结构的影响。利用X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对制备的IrO2薄膜进行了表征。结果表明：在20Pa氧分压，250℃～500℃范围内，得到的薄膜为多晶的IrO2物相，其晶粒尺寸和粗糙度随着沉积温度的升高而增加；所得到的IrO2薄膜表面粗糙度低，厚度均匀，与基片结合良好。
公衍生王传彬沈强张联盟
关键词：基片温度微观结构
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共1页<1>
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