国家高技术研究发展计划(2007AA03Z421)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
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- 高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器
- 2012年
- 研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
- 王杰韩勤杨晓红倪海桥贺继方王秀平
- 关键词：GAAS高稳定线性调谐
- GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟
- 2009年
- 采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学-机械模型对GaAs基1.55μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究。结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHz。
- 秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲
- 关键词：密集波分复用调谐范围滤波器
- 可用于弱光探测器的量子线研究进展被引量：1
- 2009年
- 以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。
- 鞠研玲杨晓红韩勤杜云倪海桥黄社松王鹏飞贺继方牛智川
- 关键词：光电探测器量子线
- 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
- 2011年
- 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
- 王秀平杨晓红韩勤鞠研玲杜云朱彬王杰倪海桥贺继方王国伟牛智川
- 关键词：量子线GAAS
