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基于SOI AWG的单纤三向器研制: 本文采用绝缘层上硅(SOI)阵列波导光栅(AWG)结构制备了光纤到户用单纤三向器(Triplexer)。输出模场测试结果表明三个波长输出光斑清晰,实现了1490nm和1550nm下行波长的分波和1310nm波长的上传功能...; 安俊明李俊一吴远大李健光王红杰胡雄伟; 关键词：光纤到户单纤三向器阵列波导光栅绝缘层上硅; 文献传递

SoI基微环谐振可调谐滤波器被引量：11: 2011年; 采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si（SoI）基纳米线波导微环谐振（MRR）滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度（FSR）为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比（ER）为18.1 dB。通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4-60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm/℃。; 姜宏伟吴远大; 关键词：滤波器热光效应

SiO_2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究被引量：1: 2011年; 设计并制作了一种基于SiO2/Si材料的Mach-Zehnder干涉仪（MZI）型集成光波导传感芯片。采用不同浓度的NaCl溶液对传感芯片的敏感特性进行了测试分析,研究结果表明,该传感芯片对特定浓度NaCl溶液的响应和恢复时间分别为1.0 s和0.6 s,可测最小折射率变化为2×10-4RIU（单位折射率变化）,在NaCl溶液折射率1.3488~1.3736范围内具有较好的线性响应。; 吴远大姜婷安俊明李建光王玥王红杰胡雄伟; 关键词：NACL溶液 SIO2/SI

光敏杂化溶胶-凝胶法研制多模干涉波导分束器被引量：4: 2010年; 采用有机/无机杂化溶胶-凝胶方法制备高质量的SiO2薄膜和光敏性薄膜材料;利用三维FD-BPM(finitedifference beam propagation method)研究了掩埋式和暴露式矩形波导结构多模干涉(MMI)型光功率分束器的主要性能,理论模拟发现,掩埋式矩形波导结构分束器的长度、宽度和厚度容差性都优于暴露式矩形波导结构的MMI型分束器,并且具有更宽的带宽特性。通过简单的紫外曝光、显影工艺制备了1×4 MMI型波导分束器,分束器在1 550 nm波长附近的插入损耗为8.1～8.8 dB,功率分束不均匀性小于1 dB。; 吴远大安俊明王玥尹小杰张家顺李建光王红杰胡雄伟; 关键词：光敏分束器

Triplexers Based on SOI Flattop AWGs被引量：1: 2008年; Triplexers are designed based on SOl flattop arrayed waveguide gratings （AWGs）. Three wavelengths （1310, 1490,and 1550nm） operate at three diffraction orders of AWGs. Simulation shows that the 3dB bandwidth,crosstalk, and loss are 6nm,less than -40dB, and 5dB, respectively. The output optical fields of the device fabricated in our laboratory are clear and show a good triplexing function.; 安俊明吴远大李健王红杰李建光李俊一胡雄伟; 关键词：TRIPLEXER

基于绝缘硅的微环谐振可调谐滤波器被引量：17: 2011年; 采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350～500nm)×220nm不等.测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为16.8nm,1.55μm波长附近的消光比为22.1dB.通过对微环滤波器进行热光调制,在21.4℃～60℃温度范围内实现了4.8nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12nm/℃.研究了基于单环和双环的多通道上下载滤波器,实验结果表明多通道滤波器的信号传输存在串扰,主要是不同信道之间的串扰,尤其在信号上载时,会在相邻信道产生较大串扰.; 李帅吴远大尹小杰安俊明李建光王红杰胡雄伟; 关键词：绝缘硅微环谐振热光效应滤波器串扰

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国家高技术研究发展计划(2007AA03Z420)