国家重点基础研究发展计划(2006CB302804)
- 作品数：12 被引量：193H指数：5
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- 相关机构：中国科学院清华大学勤上光电股份有限公司更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器
- 2009年
- 利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了200 K的低温激射。对边长为10μm、输出波导长为30μm的正方形微腔激光器,室温测量得到的纵模模式间距为1.3 nm,所对应的是由输出波导和正方形腔组成的F-P腔的F-P模式。采用二维时域有限差分法(FDTD),模拟研究了侧壁粗糙对正方形腔模式品质因子的影响。
- 李敬黄永箴肖金龙杜云樊中朝
- 关键词：光学微腔半导体激光器GAINP/ALGAINP
- 柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响被引量：7
- 2009年
- 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.
- 江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
- 关键词：蓝宝石图形衬底氮化镓
- InGaAsP／InP正方形微腔激光器被引量：1
- 2009年
- 采用平面工艺制作的定向输出微腔半导体激光器是集成光学回路的理想光源。近十几年来，以微盘为代表的回音壁模式（whispering-gallery mode）微腔激光器引起人们很大的重视。但圆对称的微盘激光器缺乏定向的激光输出，人们往往利用输出波导与微盘实现消逝波耦合或通过改变微盘的对称性来实现定向输出。最近几年，多边形微腔如正三角形、正方形、长方形、六边形等多边形光学微腔也引起人们的重视。多边形光学微腔中也能有高Q值的类回音壁模式，而且由于不具有圆对称性，其模式特性有利于简单地实现定向光输出。
- 黄永箴车凯军杨跃德王世江杜云
- 关键词：INGAASP/INP微腔激光器正方形微腔半导体激光器回音壁模式微盘激光器
- 平面工艺制作的定向输出微腔半导体激光器被引量：3
- 2009年
- 光学微腔中偶极子自发辐射受到空间和频谱调制，能实现自发辐射增强或抑制效应，而且其有源区体积可以非常小，有利于极低阈值工作和极高的调制速率。在过去的二十多年来，垂直腔面发射激光器、回音壁模式（whispering—gallery mode）微腔激光器以及光子晶体微腔激光器三类光学微腔激光器的研究取得了很大的进展。回音壁模式微腔中，模式光线由于其在微腔界面的入射角大于全反射临界角而受到限制，是一种结构非常简单的光学微腔。
- 黄永箴杨跃德车凯军王世江杜云
- 关键词：微腔半导体激光器垂直腔面发射激光器微腔激光器GALLERY回音壁模式
- AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量：3
- 2008年
- 利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一.
- 席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅
- 关键词：ALGAN/GAN电流崩塌
- LED波长一致性和温度均匀性对背光源色差的影响被引量：7
- 2010年
- 直下式动态三基色LED背光源具有色域广、寿命长、节能环保、对比度高等优势,但许多因素限制了其颜色的表现力。研究了LED波长一致性、背光温度均匀度两个因素对色差的影响,指出为使色差小于人眼所能分辨范围(CIE1976色坐标体系Δu′v′小于0.005),LED的主波长波动范围应低于5nm,背光源不同位置的最大温差应低于8℃。
- 刘煜原罗毅韩彦军钱可元
- 关键词：色差
- 半导体微腔双稳态激光器
- 2010年
- 适于光子集成的半导体微腔双稳态激光器，在高速光存．储、光交换等光信息处理方面具有重要的应用价值。模式竞争产生的双稳态半导体激光器，主要依靠非线性增益抑制实现双稳态的变换，对应的载流子浓度变化很小，可以实现高速光交换而引起人们特别重视。在环形腔半导体激光器中，两个相向传播的行波模式对应两个方向的光输出，依靠激射模式跳变可以实现模式竞争单向输出光双稳态。
- 黄永箴王世江杨跃德肖金龙胡永红杜云
- 关键词：半导体微腔双稳态光信息处理非线性增益载流子浓度光子集成
- 基于SOI结构的1×8阵列上下载微环滤波器被引量：4
- 2010年
- 利用193 nm深紫外曝光的方法应用CMOS技术,在SOI片上加工制作了1×8阵列上下载微环滤波器,微环半径分别为21.0、20.5、20.0和19.5μm。通过测量直通端的透射光谱,在1 540～1 560 nm的波段上观测到微环阵列谐振波长的透射谱凹陷,对应的消光比均大于15dB,在谐振波长1559.5 nm处的消光比高达35 dB。在半径为20.5μm的微环下载端,测得的波长为1 542.6、1 546.7、1 551.0、1 555.2和1 559.3 nm的下载峰,对应的自由谱宽为4.2 nm。
- 王世君黄永箴
- 关键词：消光比
- 大功率LED结温测量及发光特性研究被引量：56
- 2008年
- 介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0.5℃。利用该系统对不同芯片结构与不同封装工艺的大功率LED热阻进行了测量比较,并对不同结温的大功率LED发光特性进行了研究。结果表明,不同结构芯片温度-电压系数K明显不同;采用热导率更高的粘结材料和共晶焊工艺固定LED芯片,会明显降低封装层次引入的热阻。结温对光辐射功率有直接影响,若保持结温恒定,光辐射功率随电流增大线性增加;若保持外部散热条件不变,热阻大的芯片内部热量积累较快,导致结温上升速度更快,光效随电流增加而下降的趋势也更为严重。
- 费翔钱可元罗毅
- 关键词：结温大功率LED光效
- 半导体照明中的非成像光学及其应用被引量：88
- 2008年
- 以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照明光源的制造为突破点,带动整个半导体照明产业的快速进步,已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用,并通过设计实例,介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解决方案。
- 罗毅张贤鹏王霖杨毅胡飞钱可元韩彦军李旭亮张志海邓国强
- 关键词：半导体照明氮化镓发光二极管
