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国家重点基础研究发展计划(2006CB302802)

作品数:12 被引量:25H指数:3
相关作者:杨晓红韩勤王启明朱彬成步文更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇GAAS
  • 2篇调谐
  • 2篇空间电荷效应
  • 2篇复用
  • 2篇MEMS
  • 2篇波导
  • 1篇低价
  • 1篇低价位
  • 1篇调谐范围
  • 1篇载流子
  • 1篇速率
  • 1篇腔结构
  • 1篇微机电系统
  • 1篇线性调谐
  • 1篇芯片
  • 1篇滤波器

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 5篇韩勤
  • 5篇杨晓红
  • 4篇朱彬
  • 4篇王启明
  • 3篇成步文
  • 2篇左玉华
  • 2篇张岭梓
  • 2篇薛春来
  • 2篇李文兵
  • 1篇韩培德
  • 1篇张云
  • 1篇郭剑川
  • 1篇全宇军
  • 1篇高利朋
  • 1篇倪海桥
  • 1篇曹权
  • 1篇冉启江
  • 1篇王秀平
  • 1篇鞠研玲
  • 1篇张万昌

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇半导体光电
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇光通信技术
  • 1篇Chines...
  • 1篇Optoel...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 5篇2007
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响被引量:5
2007年
硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.
姚飞薛春来成步文王启明
关键词:SIGE材料
高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器
2012年
研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
王杰韩勤杨晓红倪海桥贺继方王秀平
关键词:GAAS高稳定线性调谐
GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟
2009年
采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学-机械模型对GaAs基1.55μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究。结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHz。
秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲
关键词:密集波分复用调谐范围滤波器
单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究被引量:8
2012年
利用载流子漂移-扩散模型,模拟并分析了InGaAs/InP单载流子光电探测器(Uni-traveling-carrier/UTC-PD)在不同条件下的物理特性及其带宽和饱和特性,结合器件实验结果分析了影响器件高速和高饱和性能的物理机理.结论表明在吸收区采用浓度渐变掺杂和增加InP崖层(cliff layer),可以显著提升器件饱和特性,高入射功率下吸收区电场崩塌是器件饱和的直接因素,直径大于20μm的UTC探测器中RC常数仍是影响带宽的主要因素.论文指出了优化器件结构、提升器件性能的有效方法.
张岭梓左玉华曹权薛春来成步文张万昌曹学蕾王启明
关键词:空间电荷效应高频
MEMS可调谐VCSEL的研究进展被引量:3
2007年
随着全光网络和DWDM系统的发展,MEMS可调谐VCSEL由于其优越的性能,有着相当广泛的应用前景。文章从结构差异上,将近几年来国际上的有关报道分成了单悬臂型,可变形介质模型,半对称腔型和掩埋隧道结型等四类,并对每一类型作了详细的介绍。
李文兵韩勤杨晓红朱彬
关键词:微机电系统
高功率共振腔增强型光电探测器研究进展被引量:4
2007年
共振腔增强型光电探测器(RCE-PD)作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一。在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国际上越来越受到重视。综述了这两种探测器的基本结构、发展状况,展望了其发展前景等。指出高功率共振腔增强型光电探测器将是今后最有发展前途的探测器。
朱彬韩勤杨晓红李文兵
关键词:光电探测器空间电荷效应饱和电流
单行载流子光电探测器中空间电荷屏蔽效应理论分析和实验研究被引量:3
2010年
本文优化设计和外延生长了一种单行载流子(UTC)光电探测器有源区结构,并且采用微电子工艺制备了台面尺寸为30μm的UTC光电探测器.同时,采用了漂移-扩散模型对该有源区结构进行了理论模拟,从载流子浓度和空间电场角度重点分析研究了空间电荷屏蔽效应对UTC光电探测器直流饱和特性影响的物理机理.UTC光电探测器理论模拟结果与实测数据基本相符.
郭剑川左玉华张云张岭梓成步文王启明
关键词:光电探测器
高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片被引量:2
2007年
Si是微电子发展的无可替代基质材料,取之不尽,工艺成熟,立足于Si基材料,发展光网络SOC芯片,是突破上述困扰的重要途径。然而Si属间接带隙,又为立方反演对称的非极性材料,不具优异的天然光学特性。人工改性是突破Si材料本征限制的根本出路,能带工程、纳米工程、局域化工程、光子工程以及声子工程的综合运用,有望实现Si基化全光波长变换器,高速率全光开关乃至Si基激光器,为Si基化、集成化光网络SOC芯片的发展奠定基础,并将开拓出一门崭新的Si基集成光子学。
王启明
关键词:硅基材料集成芯片
Characteristic analysis of the optical delay in frequency response of resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors被引量:1
2009年
With consideration of the modulation frequency of the input lightwave itself, we present a new model to calculate the quantum efficiency of RCE p-i-n photodetectors (PD) by superimposition of multiple reflected lightwaves. For the first time, the optical delay, another important factor limiting the electrical bandwidth of RCE p-i-n PD excluding the transit time of the carriers and RCd response of the photodetector, is analyzed and discussed in detail. The optical delay dominates the bandwidth of RCE p-i-n PD when its active layer is thinner than several 10 nm. These three limiting factors must be considered exactly for design of ultra-high-speed RCE p-i-n PD.
郭剑川左玉华张云丁武昌成步文余金中王启明
关键词:PHOTODETECTORS
Study of waveguide coupling efficiency in hybrid silicon lasers
2008年
This paper presents a new method to increase the waveguide coupling efficiency in hybrid silicon lasers.We find that the propagation constant of the InGaAsP emitting layer can be equal to that of the Si resonant layer through improving the design size of the InP waveguide.The coupling power achieves 42% of the total power in the hybrid lasers when the thickness of the bonding layer is 100 nm.Our result is very close to 50% of the total power reported by Intel when the thickness of the thin bonding layer is less than 5 nm.Therefore,our invariable coupling power technique is simpler than Intel's.
RAN Qi-jiang HAN Pei-de QUAN Yu-jun GAO Li-peng ZENG Fan-ping ZHAO Chun-hua
关键词:波导激光技术
共2页<12>
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