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国家重点基础研究发展计划(2006CB302800)

作品数:6 被引量:10H指数:2
相关作者:罗毅孙长征徐建明熊兵袁贺更多>>
相关机构:清华大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇电子器件
  • 1篇信号
  • 1篇信号分析
  • 1篇氧化硅
  • 1篇通信
  • 1篇微波传输线
  • 1篇膜厚
  • 1篇精确控制
  • 1篇抗反射
  • 1篇抗反射膜
  • 1篇宽带
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇罗毅
  • 3篇熊兵
  • 3篇徐建明
  • 3篇孙长征
  • 2篇袁贺
  • 1篇李洪涛
  • 1篇张辰
  • 1篇武庆
  • 1篇郝智彪
  • 1篇汪莱
  • 1篇王嘉星
  • 1篇赵维
  • 1篇任凡
  • 1篇韩彦军
  • 1篇胡健楠
  • 1篇周奇伟
  • 1篇冯泽心
  • 1篇侯海燕
  • 1篇司徒文畅
  • 1篇王磊

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇China ...

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线被引量:3
2008年
面向高速行波电吸收(EA)调制器的需要,设计并制作了基于苯并环丁烯(BCB)聚合物/InP衬底的宽带(0~40GHz)、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计,分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化。结果表明,当设计的BCB膜厚为4μm、InP衬底导电率小于0.002(Ω·cm)^-1和信号线宽度为84μm时,微波传输性能可达最优。在此基础上,采用电阻率为10^8μΩ·cm的半绝缘(SI)InP衬底、涂覆4μmBCB薄膜,制作出0~40GHz范围内微波损耗小于0.5dB/mm的共面波导传输线。
侯海燕熊兵徐建明周奇伟孙长征罗毅
关键词:共面波导苯并环丁烯
AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究被引量:2
2010年
研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRDω扫描半高全宽900—1500arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRDω扫描半高全宽200—300arcsec,(102)面400—500arcsec)和表面粗糙度(0.1—0.2nm).TEM照片表明GaN中位错密度降低的原因是AlN中的一部分位错在AlN和GaN的界面处被终止而未能延伸至GaN中.这可能是因为Ga原子尺寸较大,具有修复晶格缺陷的作用.而当AlN的表面粗糙度较大时,Ga原子在MOVPE生长过程中的迁移受到影响,得到的GaN晶体质量非常差.此外,采用范德堡法测量的GaN电阻率为105—106Ω·cm,比蓝宝石衬底上生长的GaN高大约6个数量级,这被认为是采用AlN代替GaN低温缓冲层所致.
汪莱王磊任凡赵维王嘉星胡健楠张辰郝智彪罗毅
关键词:氮化镓氮化铝
High Speed Electro-Absorption Modulators for Digital and Analog Optical Fiber Communications
2009年
An electro-absorption(EA)modulator is one of key components for optical fiber communications due to the high speed,small size,low voltage and integration ability with other semiconductor devices.A 40 Gb/s InGaAsP/InP multiplequantum-well(MQW)EA modulator monolithically integrated with a semiconductor optical amplifier(SOA)was fabricated for digital communications.The modulator capacitance was reduced to obtain 40 GHz bandwidth,and the SOA section helped reduce the insertion loss from 18 dB to 3 dB.InGaAlAs/InP MQW EA modulators have also been fabricated and characterized for analog optical fiber communications.A low driving voltage of 2.7 V and high spurious free dynamic range of 107 dB·Hz2/3 were estimated by static and dynamic measurements.
Xiong Bing Xu Jianming Sun Changzheng Wang Jian Luo Yi
关键词:MQWEA光纤通信信号分析
自由表面光学系统对白光LED色温角分布的影响被引量:2
2011年
基于非成像光学设计的自由表面光学系统,对提高以LED为核心的固态半导体照明的性能起着至关重要的作用。文章提出了简化模型模拟一次封装白光LED光源的色温角分布特性,并研究了自由表面光学系统对该色温角分布特性的影响。仿真与实验结果都表明,自由表面光学系统可以明显改善白光LED光源的色温角分布不均匀特性。
司徒文畅韩彦军冯泽心李洪涛罗毅
关键词:LED
基于反射光谱的单层抗反射膜的非在位膜厚精确控制被引量:1
2010年
提出一种基于反射光谱分析的非在位膜厚控制技术,首先利用椭圆偏振光谱仪确定波长300~1 700 nm范围内的薄膜折射率,由此确定对应于特定波长(如1 550 nm)的最佳抗反射(AR)镀膜沉积条件。然后计算最佳AR镀膜厚度所对应的反射谱,得到相应的CIE标准色谱坐标。通过对比实测镀膜颜色和计算得到的最佳颜色,可以实现小尺寸器件端面上AR镀膜厚度的优化控制。利用这一方法,由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备的SiNx单层AR镀膜,获得了4.4×10-4的反射率。
徐建明熊兵袁贺孙长征罗毅
关键词:反射光谱
基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作被引量:2
2010年
针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70nm的波长范围内实现低于10-4的反射率,并且当单层膜厚度变化在±5nm以内时,中心波长1550nm处的反射率低于5×10-4.根据计算结果,在F-P激光器端面进行了SiO2/SiNx多层抗反镀膜的制作.对输出光功率谱的测试分析表明,在1535—1565nm范围内的残余反射率达到了10-4量级。
袁贺孙长征徐建明武庆熊兵罗毅
关键词:等离子体增强化学气相沉积
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