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国家自然科学基金(61076096)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇质子
  • 1篇静态存储器
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇SRAM
  • 1篇存储器

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇周婉婷
  • 1篇李磊

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
质子引入的6T SRAM单粒子翻转截面预测模型
2012年
提出了一种基于SOI工艺6T SRAM单元质子辐射的单粒子饱和翻转截面的预测模型,该模型通过器件物理来模拟辐照效应,利用版图和工艺参数来预测质子引入的单粒子饱和翻转截面。该模型采用重离子的SPICE测试程序对质子辐射的翻转截面进行预测,该方法简单高效,测试实例表明在0.15μm SOI工艺下,预测的质子引入的单粒子翻转饱和截面和实际测试的翻转截面一致。
李磊周婉婷
关键词：质子静态存储器绝缘体上硅
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共1页<1>
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