国际科技合作与交流专项项目(2007DFC50310)
- 作品数：2 被引量：15H指数：2
- 相关作者：周旗钢滕冉徐文婷更多>>
- 相关机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 晶体生长速度对硅单晶微缺陷影响的数值模拟被引量：3
- 2012年
- 利用有限元分析软件对为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律。随着晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中以空位为主的微缺陷区域逐渐增大,如水晶起源粒子(crystal originated particles,COP),以间隙原子为主的微缺陷区域逐渐减小,同时,间隙型微缺陷的浓度呈现不断减小的趋势,空位型微缺陷的浓度呈现不断增大的趋势。晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中间隙型微缺陷的浓度与空位型微缺陷的浓度近似相等的区域先增大,后减小。通过Cu缀饰实验和流体图案缺陷(flow pattern defect,FPD)密度测量,将所得微缺陷类型、浓度的实验结果与晶体生长速度对硅晶体微缺陷影响的数值模拟结果进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果。
- 常麟崔彬周旗钢戴小林吴志强肖清华
- 关键词：直拉硅单晶微缺陷有限元分析数值模拟
- 热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟被引量：12
- 2012年
- 通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案。数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量。
- 滕冉戴小林徐文婷肖清华周旗钢
- 关键词：硅单晶数值模拟热屏固液界面
