国家自然科学基金(61076056)
- 作品数：14 被引量：20H指数：3
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- 两步腐蚀法制备多晶硅绒面被引量：3
- 2011年
- 采用两步化学腐蚀法在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,其中两步腐蚀法包括酸-碱两步腐蚀法和酸-酸两步腐蚀法。通过表面形貌SEM和反射谱的测试,详细地研究了不同腐蚀条件和腐蚀溶液制备绒面的形貌和光学特征。实验发现,当腐蚀速率较快时,多晶硅的绒面形貌会出现大量的晶界和针孔效应,并分析了其形成原因。同时,采用酸-碱两步腐蚀法的效果优于酸-酸两步腐蚀法的效果。最后,用PECVD在绒面上沉积SiNx减反射膜,使表面的反射率在600～800nm范围内降到3%左右,达到了良好的减反射效果,得出了最优的绒面制备方案。
- 张妹玉陈朝
- 关键词：多晶硅绒面光学特性
- 晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展被引量：7
- 2012年
- 晶体硅太阳电池一直占据光伏市场的主导地位,关于其光衰减的研究也因此受到了广泛关注。综合评述了近年来国内外晶体硅太阳电池光衰减现象的研究进展,介绍了硼氧缺陷、铁硼对以及铜相关的缺陷导致光衰减的基本机制,着重阐述了硼氧缺陷的产生率、钝化率以及相应的激活能大小与硼氧含量的关系。最后介绍了减弱或避免光衰减的一些措施。
- 任先培程浩然何发林陈朝
- 关键词：光衰减晶体硅太阳电池
- 低成本多晶硅太阳电池光致衰减的研究被引量：1
- 2011年
- 研究了多晶硅太阳电池的光致衰减现象,电池所用材料为国产的物理冶金法提纯的低成本多晶硅.实验发现,国产的低成本多晶硅材料制备的太阳电池在光照初期有一定的震荡式衰减,但衰减幅度小于10%,当经过长时间9 h的光照后,效率衰减变得不明显.初步认为造成此现象的可能机理是BOi缺陷对和FeiBs对分解-复合模型两种机制共同起作用,但以FeiBs对的分解-复合为主要机制.
- 张妹玉陈胜钰陈朝
- 关键词：多晶硅太阳电池
- Nd∶YAG连续激光诱导下硅中钛过饱和掺杂研究
- 2016年
- 为了在硅中掺入过饱和的过渡金属杂质,采用自行设计的线形大功率Nd∶YAG激光辐照表面溅射钛的硅片,对辐照后样品进行了俄歇电子能谱测试,利用2维热力学模型,对连续激光扫描的过程进行了热力学模拟。结果表明,硅中的钛掺杂浓度远高于钛在硅中的固溶度,钛的最高浓度在表面下方一定距离处;硅片中的最高温度并不在硅的表面,温度分布导致了钛的分布不在表面;模拟结果与实验结果吻合得较好。线形连续激光能够通过对材料表面扫描辐照的方式进行加工,实现过饱和掺杂。
- 范宝殿陈蓉庞爱锁陈朝
- 关键词：硅材料过饱和
- 低成本多晶硅太阳电池性能的模拟
- 2013年
- 提出低成本太阳能级多晶硅太阳电池的一维模型,多晶硅材料是由物理冶金法提纯的。在接近实际的条件下,计算了晶粒大小和晶界复合速率对电池光电转换效率的影响。模拟结果与实验数据基本吻合。实验和模拟结果表明要使电池性能达到最佳,晶粒尺寸需大于5mm;晶界复合速率足够低的情况下,对晶粒尺寸的要求可降低。
- 潘淼张寅博陈朝
- 关键词：晶粒尺寸
- 物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化被引量：1
- 2011年
- 对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果,节省了太阳电池制备的时间和成本。
- 武智平潘淼庞爱锁李艳华陈朝
- 关键词：多晶硅少子寿命
- AZO/N^+-Si欧姆接触的研究被引量：1
- 2011年
- 文章介绍了AZO/N+-Si欧姆接触特性的研究和AZO/N+-Si欧姆接触的制备新方法。实验发现AZO/N+-Si的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32×10-4Ω.cm2。它满足多晶硅太阳能电池的要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
- 杨倩陈朝
- 关键词：多晶硅片AZO比接触电阻
- UMG多晶硅片的少子寿命被引量：2
- 2013年
- 利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降;氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30s。
- 潘淼郑兰花武智平罗学涛陈文辉李锦堂陈朝
- 关键词：少子寿命热氧化
- 晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用被引量：1
- 2012年
- 提出一种在Matlab/GUI环境下设计的晶体硅太阳电池数值模拟软件,通过光生少数载流子连续性方程建立了单晶硅N+/P/P+结构太阳电池的物理模型。通过引进有效迁移率和有效少子扩散长度概念,并考虑多晶硅中晶界复合后,实现了对单晶硅、柱状多晶硅太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子、转化效率、串并联电阻等电池性能的参数指标的数值模拟。程序模拟结果通过数值和图形两种方式输出,模拟结果与实验结果接近,能够为晶体硅太阳电池的设计与制备起到较好的指导作用。本程序对于以N型材料为衬底的晶体硅太阳电池同样适用。
- 张寅博潘淼程翔陈朝
- 关键词：晶体硅太阳电池数值模拟
- 冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究被引量：1
- 2012年
- 研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后,硅片电阻率从0.2Ω.cm提高到0.5Ω.cm。结果表明,两种吸杂工艺使得硅片表面形成的重磷、重硼扩散层对金属杂质有较好的吸杂作用,从而减少载流子的复合中心,改善多晶硅片的性能。
- 郑兰花徐进潘淼陈朝史珺
- 关键词：少子寿命
