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国家自然科学基金(61376058)

作品数:4 被引量:4H指数:1
相关作者:崔利杰刘超曾一平任敬川张理嫩更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇半导体
  • 2篇MBE
  • 1篇电池
  • 1篇电学性能
  • 1篇多结太阳电池
  • 1篇三元合金
  • 1篇太阳电池
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇硅基
  • 1篇合金
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇PHEMT
  • 1篇A1
  • 1篇DETECT...
  • 1篇GAAS/I...
  • 1篇II-VI族

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇曾一平
  • 3篇刘超
  • 3篇崔利杰
  • 2篇任敬川
  • 1篇张理嫩

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Detection of lead ions with AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor
2016年
Lead poisoning is a serious environmental concern, which is a health threat. Existing technologies al- ways have some drawbacks, which restrict their application ranges, such as real time monitoring. To solve this problem, glutathione was functionalized on the Au-coated gate area of the pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) to detect trace amounts of Pb^2+. The positive charge of lead ions will cause a positive potential on the Au gate of the pHEMT sensor, which will increase the current between the source and the drain. The response range for Pb^2+ detection has been determined in the concentrations from 0.1 pmol/L to 10 pmol/L. To our knowledge, this is currently the best result for detecting lead ions.
牛吉强张杨关敏王成艳崔利杰杨秋旻李弋洋曾一平
关键词:PHEMTBIOSENSOR
硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展被引量:2
2014年
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述了MBE生长的Si基高质量CdTe和CdZnTe单晶薄膜以及对其进行n型和p型掺杂实验的研究进展。着重介绍了美国EPIR公司对以p-Si为衬底的CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究成果,其光伏转换效率分别达到了16%和17%,分析了研制高效率Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池面临的技术问题和提高电池效率的可能途径。
张理嫩刘超崔利杰曾一平
关键词:硅基
Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状被引量:1
2016年
相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展的一个重要方向。文章着重介绍了分子束外延(MBE)技术生长ZnSeTe、CdZnTe、CdSeTe等Ⅱ-Ⅵ族三元合金单晶薄膜的研究现状,分析了MBE生长三元合金时需要考虑的问题,介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料n/p型掺杂的常用元素和掺杂方式,讨论了限制Ⅱ-Ⅵ族材料有效掺杂的物理机制和三元合金在掺杂方面的研究动态,并对三元合金薄膜的发展前景进行了展望。
任敬川刘超崔利杰曾一平
关键词:掺杂
ZnSeTe薄膜的分子束外延生长被引量:1
2016年
研究了用分子束外延设备在GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布(x=0-1)的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品呈现出单一的闪锌矿晶体结构。在450和550℃氮气氛保护下对Zn Se0.70Te0.30样品做了快速热退火处理,退火后发现其晶体质量和表面形貌都得到了明显改善:双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)(004)衍射峰的半峰宽(FWHM)从0.707 7°降低至0.571 9°,表面均方根粗糙度从2.44 nm降低至1.34 nm。采用点In电极做室温Hall测试的结果显示,本征ZnSeTe薄膜表面In电极之间的电阻值很高,外延薄膜呈现载流子浓度很低的高阻状态。
任敬川刘超崔利杰曾一平
关键词:II-VI族半导体晶体质量电学性能
共1页<1>
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