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国家自然科学基金(61076079)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：林志宇杨林安陈浩然朱樟明张进成更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电离
  • 1篇电离率
  • 1篇隧穿
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇张进成
  • 1篇朱樟明
  • 1篇陈浩然
  • 1篇杨林安
  • 1篇林志宇

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于AlGaN/GaN共振隧穿二极管的退化现象的研究被引量：1
2013年
文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起.由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系,因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子,对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用.
陈浩然杨林安朱樟明林志宇张进成
关键词：共振隧穿二极管GAN电离率
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共1页<1>
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