国防科技重点实验室基金(51491030205BQ0201)
- 作品数：2 被引量：14H指数：2
- 相关作者：朱健张宇峰戴永胜郁原卫方大纲更多>>
- 相关机构：南京理工大学南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 毫米波RF-MEMS单片集成0/π移相器被引量：3
- 2009年
- 介绍了一种毫米波RF-MEMS单片集成反射型0/π移相器的设计、制造和测试。实测性能与设计结果吻合较好,达到的电性能指标为:在35GHz-38GHz频率范围内,电压驻波比小于1.8,参考态插入损耗为3.5±1.0dB,相移态插入损耗为2.0±0.6dB,相移为180°±6°。芯片尺寸:2.6mm×2.1mm×0.2mm。满足了插损低并具有电路拓扑的要求。
- 戴永胜张宇峰李宝山朱健郁元卫
- 关键词：毫米波射频微电子机械系统单片集成移相器
- 毫米波悬臂梁串联反射型接触式RF-MEMS开关的研究被引量：12
- 2008年
- 介绍了毫米波悬臂梁接触式反射型RF-MEMS串联开关芯片的设计、制造和测试。采用三维电磁场仿真软件AnsoftHFSS进行仿真和优化设计,开关芯片尺寸为:0.8mm×0.95mm×0.4mm,芯片测试结果为:在50GHz频率插入损耗为1.1dB,隔离度测试值约为23dB,设计和测试的结果吻合较好。这种RF-MEMS开关可在毫米波系统中广泛应用。
- 戴永胜方大纲张宇峰祁高品朱健郁原卫
- 关键词：共面波导插入损耗驱动电压
- 毫米波MEMS单片集成移相器
- 本文介绍了毫米波反射型MEMS单片移相器的设计、制造和测试。实测性能与设计结果吻合较好,达到的电性能指标为:在35GHz-38GHz范围内,电压驻波比小于1.8,参考状态插损为3.5±1.0dB,相移状态插损为2.0±0...
- 戴永胜张宇峰祁高品朱建郁元卫
- 关键词：毫米波微电子机械系统单片集成移相器
- 文献传递
