国家自然科学基金(10774154)
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
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- PbZr_xTi_(1-x)O_3多层膜中与极性缺陷复合体相关的介电驰豫(英文)
- 2009年
- 研究了由致密PbZr0.38Ti0.62O3和多孔PbZr0.38Ti0.62O3膜层交替排列组成的多层膜在温度为420K时的介电行为.在102～106Hz的频率范围,观测到两种截然不同的介电驰豫.位于低频区的介电损耗峰归因于空间电荷极化.通过俄歇电子谱和电子顺磁共振谱分析,初步判定遵从Arrhenius律、热激活能为0.49eV的高频介电驰豫则起源于氧空位V¨0和Ti3+形成的极性缺陷复合体V¨0-Ti3+对交变电场的响应.
- 胡古今张婷孙璟兰朱大明褚君浩戴宁
- 渐变带隙Cd_(1-x)Zn_xTe太阳电池光电转换效率的数值模拟被引量：1
- 2010年
- Cd_(1-x)Zn_xTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV～2.26eV间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准电场。该电场不仅能将俄歇复合发生的位置有效局域化,而且还可降低由表面复合引起的载流子损耗,增强光生载流子的收集效率,进而提高电池的光电转换效率。用渐变带隙Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜替代了传统CdTe薄膜太阳电池中的均匀相CdTe光吸收层,并用AMPS软件模拟分析了渐变带隙Cd_(1-x)Zn_xTe太阳电池的光电响应特性。经计算,该电池在理想情况下(无界面态、有背面场,正背面反射率分别为0和1)的光电转换效率高达41%。
- 曹鸿江锦春胡古今褚君浩
- 关键词：太阳电池光电转换效率
- Cu(In,Ga)Se_2薄膜的制备及其表征(英文)
- 2011年
- CuIn1-xGaxSe2(CIGS)为直接带隙半导体,其带隙宽度随In/Ga比而变化,且对可见光具有很高的吸收系数,是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射和后硒化工艺制备了系列CIGS薄膜,研究了溅射功率和衬底对CIGS薄膜的微结构和光学性质的影响.发现钼玻璃上溅射功率为50W,在550℃硒化40min的条件下获得的CIGS薄膜具有单一的黄铜矿结构、均匀致密的表面形貌和柱状晶粒.所制备的薄膜的禁带宽度位于1.21～1.24 eV的范围.
- 崔艳峰袁声召王善力胡古今褚君浩
- 关键词：薄膜电池
- 锆钛酸铅双层膜的铁电及光学特性研究被引量：4
- 2008年
- 采用化学溶液沉积法在LaNiO3涂布的硅晶片上制备了高度(100)择优取向,表面均匀、平整、致密无裂纹的PbZr0.5Ti0.5O3/PbZr0.4Ti0.6O3双层膜.双层膜具有单一的钙钛矿相,同时拥有良好的铁电性能,剩余极化强度高达64μC/cm2,平均矫顽场仅为43.6 kV/cm.棱镜-薄膜耦合实验结果表明PbZr0.5Ti0.5O3/PbZr0.4Ti0.6O3双层膜系表现出平板光波导特征,能够承载四个横电模;通过求解模式本征方程分别得到了PbZr0.4Ti0.6O3膜层和PbZr0.5Ti0.5O3膜层的折射率及厚度参数.
- 赵晓英刘世建褚君浩戴宁胡古今
- 关键词：铁电薄膜平板光波导锆钛酸铅
- 弛豫铁电0.74Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.26PbTiO_3薄膜的微结构和光学性能(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用磁控溅射法,选用LaNi O3作为缓冲层,在硅基片上制备出了0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3弛豫铁电薄膜.研究了沉积温度对薄膜的微结构和光学性能的影响.其中,沉积温度为500oC时制备的薄膜,不仅具有纯的钙钛矿结构,高度(110)择优取向、致密、无裂纹的形貌、而且具有最大的剩余极化,大小为17.2μC/cm2.使用柯西模型进行拟合反射谱,分析得到薄膜的折射率和消光系数.在波长为633 nm时,500oC沉积的薄膜的折射率大小为2.41.另外,薄膜的光学带隙在2.97～3.22 eV范围内.并初步讨论了这些薄膜的光学性能的差异.
- 田玥唐艳学周丹胡志娟王飞飞陈心满刘锋王涛谢东珠孙大志石旺舟胡古今孔伟金
- 关键词：消光系数
- 锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性被引量：1
- 2008年
- 研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫顽场为43kV/cm.大的极化强度值归因于大的膜厚和多孔结构有效释放膜内张应力的结果.室温低频限下,PZT多层膜的表观相对介电常数超过2000.极为有趣的是,在所研究的频率范围,PZT多层膜具有两种截然不同的介电驰豫.低频介电损耗峰源自空间电荷极化;而遵从Arrhen ius律的高频介电响应可能同与氧空位VO¨相关的极性缺陷复合体有关.
- 胡古今商景林张婷谢婧孙璟兰褚君浩戴宁
- 关键词：铁电介电
