“十五”国家科技攻关计划(2003BA316A01-01-08)
- 作品数：6 被引量：24H指数：3
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- GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究被引量：12
- 2007年
- 通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论。
- 林巧明郭霞顾晓玲梁庭郭晶沈光地
- 关键词：GAN发光二极管峰值波长热效应极化
- 隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量：1
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合。稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度。沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快。芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心。
- 张蕾崔碧峰段天利马楠郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器瞬态稳态隧道再生
- 隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究被引量：4
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入电流占空比的增加而增加,热弛豫积累时间小于200ms。芯片内部温度分布表明,靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度,但温度差较小,热效应造成的波长漂移不会造成双峰现象。实验测量了在相同的边界条件下,不同占空比下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。
- 张蕾崔碧峰沈光地郭伟玲刘斌王智群
- 关键词：半导体激光器隧道再生占空比
- p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究
- 2008年
- 通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低于p-GaN与Ni/Au的欧姆比接触电阻,通过分析认为这是由InGaN层的极化效应导致接触势垒降低和载流子隧穿几率增大造成的,但同时受样品表面形貌和InN本身固有的积累电子层的特性影响,当InGaN层的厚度超过这一特定值后其接触特性反而比p-GaN差。
- 林巧明郭霞梁庭顾晓玲郭晶沈光地
- 关键词：铟镓氮欧姆接触极化
- 两基色白光LED的配色研究被引量：3
- 2007年
- 从色度学原理出发,简述了两基色白光LED的配色原理,确定了可合成白光的两基色的选取范围和两基色的配比范围,计算分析了两基色白光LED的光视效能和一般显色指数。两基色白光LED具有较高的光视效能,但其显色性却较差,主波长为450 nm左右的蓝光LED与主波长572 nm左右的黄绿光混合得到的白光的光视效能值最大,约为400 lm/w,已接近等能纯白点的理论极值,但一般显色指数只有—0.5。主波长为480 nm左右的LED与主波长为580 nm左右的LED混合得到的白光的一般显色指数值最大,仅为16.2。
- 张蕾郭霞沈光地刘诗文梁庭王惠
- 关键词：白光发光二极管配色光视效能显色指数
- 焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响被引量：5
- 2007年
- 针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到芯片内部的温度分布,焊料空隙的存在将导致空隙上方的芯片内部出现局部热点.随着焊料空隙的增大,芯片内热点区域增大,温度增高.位于芯片的条形电极中心下方的焊料空隙引起的芯片内部局部温升最大,并且沿腔长方向光出射腔面上温度相对较高,易引起光出射腔面上正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合.
- 张蕾崔碧峰黄宏娟郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：激光技术半导体激光器
