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一种与标准CMOS工艺兼容的光电集成接收机设计与实现(英文)被引量：1: 2007年; 设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高速光电探测器和宽带光电集成接收机,并采用0.6μm标准CMOS工艺流片.测试结果表明,该光电集成接收机的性能已接近实用要求.探测器的频率响应带宽为1.11GHz ,光电集成接收机的3dB带宽为733MHz ;在误码率为10-12条件下,对波长为850nm的输入光信号,灵敏度达到-9dBm.; 余长亮毛陆虹宋瑞良朱浩波王蕊王倩; 关键词：光电探测器光电集成接收机 CMOS 有源电感

A Monolithically Integrated Optical Receiver with Spatially Modulated Light Detector in CMOS Technology: A monolithically integrated optical receiver with spatially modulated light(SML) detector in an unmodified 0.1...; Bei-Ju HuangMing-GuHai-Jun LiuJin-Bin LiuHong-Da Chen

一种解决无线局域网直下变频接收机直流漂移的方法(英文): 2006年; 提出了一种符合IEEE802.11a无线局域网的5GHz直下变频接收机解决直流漂移的方法.该方法利用双平衡混频器输出端的模拟反馈环路消除直流漂移.该混频器经过测试,在5.15GHz频率下具有9.5dB的转换增益,13.5dB的噪声系数和7.6dBm的三阶交调,在3.3V电源电压条件下67mW的功耗,以及1.73mV的直流漂移,并能使直流漂移减少76%.该方案及整个直下变频的WLAN接收机已经采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺流片并测试.; 许奇明石寅高鹏胡雪青颜峻徐化陈弘达; 关键词：直流漂移无线局域网 BICMOS

30Gbit/s并行光接收模块(英文): 2006年; 报道了一种基于CMOS工艺接收电路芯片和GaAs工艺1×12光电探测器阵列的30Gbit/s并行光接收模块.该模块采用并行光通信方案,利用中高速光电子器件实现信号的高速传输.直接使用未经封装的接收电路裸片和光探测器裸片,采用电路板上芯片技术封装制作模块,并通过倒装焊的方式实现了探测器阵列与列阵光纤的精确对准并形成了可插拔的光接口.测试结果表明模块的接收能力可以达到30Gbit/s.误码率小于10-13时,接收模块的灵敏度可以达到-13.6dBm.; 陈弘达贾九春裴为华唐君; 关键词：探测器阵列 CMOS工艺

用于视网膜修复的光电脉冲频率调制电路(英文): 2006年; 提出了一种用于视网膜修复的脉冲频率调制电路结构.该电路产生频率正比于入射光强度的电脉冲序列.论证分析了该电路的基本特性,并基于0.6μmCMOS工艺进行了流片.仿真结果表明,该电路可以应用于视网膜下植入.; 刘金彬陈弘达高鹏裴为华隋晓红; 关键词：脉冲频率调制

共振隧穿晶体管的反相器统一模型被引量：1: 2007年; 综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.; 郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟梁惠来张世林李建恒宋瑞良胡留长齐海涛毛陆虹; 关键词：RTT I-V特性

Research on Electric Field Confinement Effect in Silicon LED Fabricated by Standard CMOS Technology: 2010年; The wedge-shaped and leaf-type silicon light-emitting devices(LED)are designed and fabricated with the Singapore Chartered Semi Inc.'s dual-gate standard 0.35μm CMOS process.The basic structure of the two devices is N well-P+ junction.P+ area is the wedge-shaped structure,which is embedded in N well.The leaf-type silicon LED device is a combination of the three wedge-shaped LED devices.The main difference between the two devices is their different electrode distribution,which is mainly in order to analyze the application of electric field confinement(EFC).The devices' micrographs were measured with the Olympus IC test microscope.The forward and reverse bias electrical characteristics of the devices were tested.Light measurements of the devices show that the electrode layout is very important when the electric field confinement is applied.; YANG GuanghuaWANG Wei

高灵敏度CMOS光电集成接收机设计(英文): 2007年; 设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC0·6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.; 朱浩波毛陆虹余长亮马利远; 关键词：CMOS 光电集成电路光接收机灵敏度

高性能硅基MOS电光相位调制器(英文)被引量：2: 2006年; 提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2·4V·cm,上升和下降时间分别为80和40ps ,带宽达到了8GHz .通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度.; 黄北举陈弘达刘金彬顾明刘海军; 关键词：电光相位调制器金属-氧化物-半导体

提取神经电信号的单片集成CMOS前置放大器的仿真研究(英文)被引量：3: 2005年; 提出一种用于提取神经电信号的新型单片集成CMOS前置放大器.在放大器输入端引入的交流耦合电容可以消除存在于电极电解液之间的电极极化电压,栅源电压为负值的二极管连接的nMOS晶体管能够作为大电阻,并且占用很小芯片面积,可以通过此大电阻为前置放大器提供直流偏置,同时不影响输入阻抗值.通过对输入级进行理论噪声分析,确定了放大器中的各个器件参数.仿真结果表明,由于采用电容负反馈结构,此放大器的交流增益为38.8dB,无直流增益,在0.1Hz～1kHz频率范围内,总输入等效噪声为277nVrms.; 隋晓红刘金彬顾明裴为华陈弘达; 关键词：前置放大器等效输入噪声

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