国家自然科学基金(19774003)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性
- 2000年
- 在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,它们的整流比分别大于 1 0 6和 1 0 4 ,以及在固定正向偏压下 ,它们的电流都是温度倒数的指数函数 ,从中确定了它们的有效势垒高度分别为 0 .784eV和0 .5 31eV。深能级瞬态谱 (DLTS)和C -t测量发现在C70 GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0 .6 40eV)和一个空穴陷阱H3(0 .82 2eV) ,以及在近界面的固体C70 中存在两个空穴陷阱H4 (1 .1 5 5eV)和H5(0 .85 6eV)。
- 陈开茅孙文红武兰青张伯蕊吴恩孙允希乔永平
- 关键词：GAAS界面态
- 恒温电容瞬态时间乘积谱
- 2001年
- 传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.
- 陈开茅陈源傅济时张伯蕊朱美栋乔永平孙允希武兰青
- 关键词：深能级
